瑞萨与日立联手多级AG-AND闪存高速编程技术
作者：eaw 时间：2005-12-04 17:07 来源：本站原创
瑞萨科技公司与日立公司宣布，双方已联合开发出两种多级AG-AND闪存器件高速编程技术。该新技术包括将编程期间的热电子注入效率提高到20倍的存储单元操作技术和降低多级编程开销的多级高速编程电路技术。有望成为制造90nm以上AG-AND闪存中高速多级存储器的基础技术。目前这种电路技术已经应用到瑞萨公司采用90nm工艺批量生产的4Gb AG-AND闪存中。
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