NS VIP50 工艺提升放大器性能

随着新一代无线应用、汽车电子系统、自动化测试与测量、医疗仪器及成像，以及便携式电子设备等对功能和性能的不断提高，高性能模拟组件成了设计者关注的重中之重，尤其是放大器，其性能的优劣将直接影响整个设计的质量。“我们专有的BiCMOS模拟工艺技术可以大幅提高运算放大器的性能，从而为高精度、低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。” 国家半导体（NS）公司放大器产品线技术市场经理Carlos Sanchez先生表示。

该公司近期推出的全新绝缘硅BiCMOS工艺技术VIP50，可以确保放大器芯片能在 0.9V 至 12V 之间的供电电压范围内工作，而且通过该工艺，双极晶体管可与最低门长度为 0.5mm 的“模拟级”MOS 晶体管搭配使用，从而不仅可以调节不同性能以确保互相匹配，而且可显著抑制中低频的噪音。
为加强设计的可靠性，在VIP50工艺技术中，电路内部的不同部分都装在加设了绝缘硅的晶片之上，然后以沟道互相隔离，从而可将电路内部产生的寄生电容减至最少，并能进一步提升放大器的速度/功率比。采用该技术由于不会出现漏电情况，因此即使在极高温度之下工作，也不会对放大器的性能产生任何不利的影响，从而非常适合工业应用及汽车电子系统。

内置电阻器是高精度芯片所必须的关键器件。VIP50工艺可为这类芯片提供高度准确的低温度系数薄膜电阻，而且电阻匹配准确度高于许多非内置的高精度双组装电阻。此外，由于这种工艺最适用于3.3V及5V的供电电压，因此，采用这种工艺制造的放大器芯片不但可以直接连接先进的ADC，而且还能提供极具竞争力的信噪比。

据悉，NS公司采用该全新VIP50 工艺技术已成功开发出6款高精度、低功耗及低噪声的运算放大器，这些新品将可满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等市场的需求。(空竹)