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安森美半导体推出高性能LVDS扇出缓冲器

作者:eaw  时间:2006-05-31 10:13  来源:本站原创
安森美半导体(美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出NB6L11S和NB6N14S两款高精度全差动接口集成电路,进一步拓展其高性能ECLinPS MAX™时钟和数据管理解决方案产品系列。器件专为精密的电信时钟管理、网络、高端计算和自动测试设备(ATE)应用而设计。



两款器件结合了安森美半导体最先进的双极性技术和LVDS兼容输出结构,使它们在性能不受影响的情况下直接与LVDS器件连接。此外,两款器件均采用安森美半导体的AnyLevelTM输入结构,可与LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL或LVDS信号实现无缝连接,并提供真正的设计灵活性。

NB6L11S为差动1:2时钟或数据转换器和分配器件,其最高输入时钟频率高于2.0吉赫(GHz)、典型抖动值为500飞秒(fs)。器件的工作电压Vcc为2.5伏(V),采用无铅QFN-16封装。NB6L11SMNR2G每3,000件的批量单价为3.50美元。

NB6N14S为差动1:4时钟或数据转换器和分配器件,其最高输入时钟频率高于2.0吉赫(GHz),典型抖动值为500飞秒(fs)。器件的工作电压Vcc为3.3 V,采用无铅QFN-16封装。NB6L14SMNR2G每3,000件的批量单价为4.00美元。

更多信息或订购样片,请访问http://www.onsemi.com.cn。更多信息,请联系Prescott Sakai (电邮地址: Prescott.Sakai@onsemi.com)。

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