两家公司的专知和技术相结合，加速了第二代低能耗植入设备CVRx Barostim neo的开发周期
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)宣布，治疗高血压用专有有源植入技术的市场领先开发商CVRx正在使用安森美半导体的技术及制造服务。CVRx最近在欧洲推出第二代植入式降血压用压力感受器刺激设备——Barostim neo。
安森美半导体在设计及制造适合宽广医疗应用的模拟、数字及混合信号半导体方案方面积累的丰富经验，帮助CVRx在繁多的预生产测试中提供所要求的可靠性及器件性能。此外，CVRx使用安森美半导体的设计套件、知识产权(IP)以及布线和代工服务，压缩了开发周期。
CVRx的Barostim neo包含3款安森美半导体器件，其中2款是定制专用集成电路(ASIC)，包括一款高压模拟C5工艺器件，及另一款使用安森美半导体I3T工艺制造、支持数字集成、结合了混合模拟及智能电源高压结构的数字控制ASIC。小巧的Barostim neo设备中包含的第3款安森美半导体器件是8兆比特(Mb)医疗存储器专用标准产品(ASSP)。3款器件均提供低能耗工作，以延长电池工作寿命，这要求对植入医疗设备殊为关键。
CVRx, Inc.研发及运营副总裁Joe DuPay说：“我们选择安森美半导体来开发我们最新植入式高血压治疗设备有多重优势。通过结合我们的核心专知及技术与安森美半导体在要求严格的医疗半导体市场的专知、经验与产品长期支援，我们缩短了产品开发周期，同时设定了极低能耗及可靠设计的最高标准。”