意法半导体（ST）推出新系列的节省成本的地址-数据多路复用NOR闪存移动应用解决方案

新产品扩大了ST的NOR闪存产品组合
- 为注重成本效益和价值的应用平台专门设计的系列产品

世界领先的手机及移动应用NOR闪存供应商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM），近日宣布一个新的地址-数据多路复用输入/输出(AD MUX I/O)系列产品，这是一个专门为注重成本效益和价值的移动平台设计的全系列NOR闪存解决方案。

AD MUX I/O架构提出了数据地址共用引脚的概念，从而减少了存储芯片的引脚数量，进一步节省了微处理器的系统成本。节省成本将给手机制造商带来巨大的竞争优势，特别是对于移动应用优势更加明显，因为成本是移动市场成功的关键。

AD MUX I/O架构准许无需增加引脚数量即可提高总线宽度，或者减少引脚数量不会降低性能。尺寸更小的机械封装外廓，电路板占位面积缩小，这两种优势降低了手机制造商的成本。

这些新产品的原型是ST现有的成功的NOR闪存产品。ST不断提供在技术开发、体系结构和系统性能上最佳的解决方案。最先进的典型特性，结合性能最高的应用，为终端用户带来了特别的实惠。新系列AD MUX I/O产品的推出确保所有手机市场上的NOR闪存产品的需求都能得到满足。

AD MUX I/O产品组合包括独立解决方案和子系统解决方案，这两种方案基于1位和每单元2位技术，准许在提高存储器密度的同时优化芯片尺寸，采用130nm和90nm制造工艺。该系列产品提供脉冲串模式和多存储库架构，采用LFBGA88 (8x10mm)、LFBGA107 (8x11mm)或VFBGA44 (7.5x5mm)封装。

对于独立的NOR闪存，密度从16- Mbit到64-Mbit的采用每单元1位技术；密度从128- Mbit到256-Mbit的采用每单元2位技术。
子系统解决方案初步包括下列组合：
128Mb NOR 闪存 + 64-Mbit PSRAM (M36L0R7060L1/U1) 128Mb NOR 闪存 + 32-Mbit PSRAM (M36L0R7050L1/U1)

ST不久还将推出更多的子系统解决方案(64-Mbit 闪存 + 32-Mbit PSRAM, 64-Mbit 闪存 + 16-Mbit PSRAM, 32-Mbit 闪存 + 16-Mbit PSRAM)，以充实这个产品系列的内容。

新产品的样片现已推出，量产计划2006年第3季度开始。