三星首发50nm DDR2 DRAM内存芯片

三星电子宣布推出全球首款基于50nm制造工艺的DDR2 DRAM内存芯片，预计生产效率将比60nm水平提高55%。三星表示，采用了3维晶体管和多层电子技术的1GB DRAM，可极大地改善产品性能和存储能力。

三星电子半导体事业部内存销售与营销执行副总裁Nam Yong Cho表示，“50nm DRAM芯片的成功开发，将令我们继续保持技术领先，并向消费者提供更具成本效益的上等产品。”

选择外延生长晶体管（SEG Tr）是三星新近开发的50nm DRAM内存芯片关键之所在，这种3D晶体管具有更宽的电子通道，可通过优化芯片电子的速度降低能耗并提高性能。伴随着整体内存电路的持续微型化发展，在面积有限的晶圆芯片内越发难以容纳足够多的电子，而通过50nm制造工艺，选择外延生长晶体管引入了多层介电层（ZrO2/Al2O3/ZrO2），从而解决了原来较弱的电子特性。这种新型的介电层通过增加电子负载提高内存的存储容量。

三星的50nm制造工艺可被广泛应用于DRAM芯片的生产，比如图形以及移动DRAM等。预计到2008年可实现相关产品的量产。