ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP

ARM公司（伦敦证交所：ARM；纳斯达克：ARMHY）发布了其Artisan物理IP系列中的ARM? VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。

TSMC设计服务市场代理总监Kuo Wu表示：“我们一贯致力于同我们的IP合作伙伴共同努力，将高质量的IP以最短的时间整合到我们客户的领先的设计中。在我们对IP认证的严格要求下，ARM Velocity DDR1/2存储器接口在我们的90纳米工艺取得了卓越的首次投片成功。”

ARM 90纳米Velocity DDR1/2存储器接口解决方案包括多组可编程ODT（ on-die termination）和输出驱动阻抗控制（output driver impedance control），所有的端头在使用ARM先进的动态校准器电路的情况下能够获得很高的阻抗精度。这些特性提高了整体信号的完整性，并且加快高速系统设计的开发周期。90纳米Velocity DDR1/2存储器接口提供最适宜的解决方案，为需要用到SDRAM的众多应用（例如主流台式电脑、网络设施和服务器）提供可调整的功耗和性能。这些可用于DDR1和DDR2的双倍数据速度解决方案可以最高达800Mbps的数据速度运行，并实现了SDRAM组建和存储器控制器之间的所有接口。

ARM物理IP部门总经理Brent Dichter表示：“ARM一贯承诺为客户提供高质量的、已获验证的IP产品，确保他们的SoC设计获得成功。Velocity DDR1/2存储器接口解决方案通过TSMC IP质量认证体现了ARM物理IP的高质量，同时为我们共同的客户提供了一个可信任的SoC解决方案。”

供货情况

基于TSMC 90纳米工艺的ARM Velocity DDR1/2存储器接口解决方案现已供货。已授权设计师可在www.arm.com免费下载用于TSMC 90纳米工艺的DDR1/2前端解决方案。DDR后端解决方案可从当地ARM销售渠道获得。