飞兆半导体推出体积最小的高性能功率MOSFET

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。

飞兆半导体的FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。FDZ191P作为PowerTrench MOSFET，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装 (WL-CSP)，因而具有出色的热阻 (83℃/W) 和低RDS(ON) (4.5V时为67mΩ)。FDZ191P具有超小型 (1.0mm x 1.5mm x 0.65mm) 封装，与同类器件相比能节省至少30% 的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。FDZ191P还能够工作于1.5V的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，FDZ191P还满足全球电子产品应用要求的所有“绿色”和RoHS标准。

飞兆半导体低压功率产品部市务总监Chris Winkler称：“飞兆半导体的FDZ191P正在为超小型及高性能MOSFET市场设立新的标准，并同时印证了飞兆半导体的专业技术，结合高密度的MOSFET硅片来开发尖端的封装技术。飞兆半导体采用1.0mm × 1.5mm WL-CSP封装的产品系列正不断扩展，为设计人员提供了理想的解决方案，能够应付低压设计对于空间和功率管理电路方面的挑战。”

FDZ191P的主要优点包括：

超小的封装和高度 – 仅占用1.5 mm2 的印刷线路板面积，当安装在印刷线路板上时，FDZ191P的高度不超过0.65mm，因此适用于各种高密度应用；

出色的热性能和电气性能 – FDZ191P提供优良的散热特性 (安装在1” x 1” 铜焊盘上时，Rthja = 83℃/W)。它还可满足便携式产品的功率管理设计要求 (Vgs = 4.5V 时典型的RDS(ON) 为67mΩ，Vgs= 2.5V时RDS(ON) 为85mΩ)；

高功率和大电流处理能力 – 安装在1” x 1” 铜焊盘上时，FDZ191P有助于实现1.5W的功率耗散 (Pd) 和3A的连续漏极电流(ID) ；

满足RoHS/绿色标准要求 – FDZ191P能达致国际性的RoHS标准和绿色标准。

这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

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