东芝今天宣布公司已经研制出一种全新的嵌入式NAND闪存系列，以eMMCTM为标准，达到业内最大容量。这种16GB新产品用于手机及数码摄像机等便携式产品。东芝计划从今年第二季度开始出厂样品，从第四季度开始量产。在此之前，东芝将从本月开始出厂8GB样品，并从第三季度开始量产。
16GB新产品在标准的小型封装内采用先进的56nm制程技术，收纳了8枚2GB的NAND芯片和控制器芯片，并带有控制功能。新的嵌入式闪存实现了同种产品业内的最大容量，为便携式产品带来新容量，专用控制器的集成减轻了产品生产厂商开发的负担。而且，新产品以高速存储卡规格-MMCA（MultiMediaCard Association）Ver.4.2为标准，支持标准接口，用户可以简单的嵌入产品。
东芝基于新技术，提供1GB到16GB的5种容量的嵌入式NAND闪存系列产品。丰富的eMMCTM型产品将提供非常宽泛的新产品应用。
为了满足带有减轻开发负担、便于系统设计集成的控制器功能的存储器需求的不断扩大，东芝已经向您提供了带有使用NAND的基本控制功能的「LBA-NANDTM」存储器、具有SD接口的大容量「GB-NANDTM」存储器。这次，东芝又增添了eMMCTM型新产品，将不断加强在本领域的领先地位。
新产品的概要
| 型号 | 容量 | 封装 | 样品出货 | 量产时间 | 量产规模 |
| THGAM0G7D8DBAI6 | 16GB | 169Ball | FBGA | 2007年6月-2007年12月 | 总体100万个／月 |
| THGAM0G6D4DBAI4 | 8GB | 169Ball | FBGA | 2007年4月-2007年7月 | |
| THGAM0G5D2DBAI4 | 4GB | 169Ball | FBGA | 2007年第4季度-2008年第1季度 | |
| THGAM0G4D2DBAI5 | 2GB | 153Ball | FBGA | 2007年第4季度-2008年第1季度 | |
| THGAM0G3D1DBAI5 | 1GB | 153Ball | FBGA | 2007年7月-2007年9月 |
封装尺寸：11.5×13.0×1.3mm（153Ball）、12.0×18.0×1.3mm（169Ball）、14.0×18.0×1.5mm（只限169Ball 16GB产品）
新产品的主要特征
1.内置以MMCA Ver. 4.2规定为标准的控制器，因此用户无需开发NAND闪存的控制功能（写入块管理、错误订正、驱动器软件等），从而减轻开发成本，也缩短开发时间。
2.根据不同用途，备有从大容量16GB到较小容量的1GB的多种产品。最大容量的16GB产品可以记录大约4千首（假设每首音乐为4MB）音乐数据，以128Kbps的比特速率，大约可以记录280小时的数据。
3.采用先进的56nm制程技术，在16GB产品中堆栈8层2GB的芯片。
新产品的主要规格
| 型号 | 容量 |
| THGAM0G7D8DBAI6 | 16GB |
| THGAM0G6D4DBAI4 | 8GB |
| THGAM0G5D2DBAI4 | 4GB |
| THGAM0G4D2DBAI5 | 2GB |
| THGAM0G3D1DBAI5 | 1GB |
接口以MMC Ver. 4.2规定为标准的HS-MMC接口
电源电压：2.7～3.6V（存储器内核） ／ 1.7V～1.95V（接口）
总线宽度：x1 / x4 / x8
写入速度：最小 6MB/秒 （时序模式）
读取速度：最小 15GB/秒 （时序模式）
工作温度：-25℃～+85℃
封 装：153Ball FBGA （+16支持Ball）