Ramtron提升工艺发力亚洲市场

近日世界顶尖的非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation发布其亚太区的半导体业务扩展战略，以及持续发展的最新部署。与此同时，Ramtron还宣布推出了半导体业界首款4Mb非易失性FRAM 存储器，成为了推动该公司在区内继续增长的主要元素。“我们独特的非易失性FRAM产品一直都被设计应用于亚太区的各种应用中。因此，我们在亚洲区已获得大幅的增长，并且正努力不懈，全力增加我们在该区域内的设计项目数量。预计到2007年年底，我们的亚太区业务增长将达50%，并于2008年前成为公司内最大的销售区域。”Ramtron市场拓展及销售资深副总裁Michael Hollabaugh表示。

该公司公开数据显示，Ramtron 在亚太区的产品销售量由2001至2006年每年增长达 99%，当中的主要动力来自于电力计量、汽车电子及磁碟列阵等控制器应用等方面。为了推动区域内的业务持续增长，Ramtron最近进行了大量投资，全面扩大其在中国、香港、台湾及韩国的办事处规模，将销售、战略事务及应用支持的专门人员数目增加了接近一倍，组建了公司最庞大的区域性营销和市场拓展团队。

Michael Hollabaugh：在2008年之前亚洲将成为Ramtron最大的目标设计市场

除了在营销基建方面投资之外，Ramtron还调整了其产品战略，以紧跟亚洲区内出现的各个新兴机会。其中，该公司最近宣布推出了汽车用的独立式FRAM存储器产品，包括符合超高温AEC Q100 Grade 1规范要求的器件。同时Ramtron还扩大其FRAM-Enhanced™处理器配对产品系列，将常用的系统外设与高性能的非易失性FRAM存储器集成在单芯片上。

此外，Ramtron还在磁碟列阵控制器市场上取得良好进展，推出业内首款4Mb非易失性FRAM产品FM22L16，其存储量是现有产品的四倍。“4Mb FRAM开辟了全新的技术领域，把Ramtron和FRAM技术引入崭新和新颖的应用中。FM22L16将FRAM技术引进至主流中，而来目德州仪器公认的工艺节点则提供许多全新的独立和集成式产品机会。新产品的推出将FRAM定位成理想的非易失性存储解决方案，拥有具大的潜力改变存储器的现状。”Ramtron 副总裁Mike Alwais表示。

FRAM 存储器将易失性 DRAM 的快速存取和低功耗特点与不需要电能保存数据的能力结合起来。EEPROM 和闪存等其它非易失性存储器由于必需以多个掩模步骤、更长的写入时间及更多的功耗来写入数据，因此对于嵌入式应用不太合适。此外，FRAM 的小单元尺寸和增加最少的掩模步骤特点，使到面向嵌入式应用的 FRAM 可以低于 SRAM 的成本生产。FRAM 所消耗的功率亦较 MRAM 低很多，并且已在要求严格的汽车、测量、工业及计算等应用中实现商业化应用。

图1 先进的存储器单元：单元尺寸23F²单元面积0.71mm²

为了创建嵌入式 FRAM 模块，德州仪器在其标准的 130nm 铜互连工艺中添加了仅仅两个额外的掩模步骤。通过转向 130nm 工艺，两家公司将使用目前最小的商用 FRAM 单元 (仅 0.71um²)，提供 Ramtron 的 4Mb FRAM 存储器，并且获得较 SRAM 单元更高的存储密度。为了实现这种单元尺寸，该工艺使用了创新的 COP (capacitor-over-plug) 工艺，将非易失性电容直接堆放在 W 型插入晶体管触点之上，如图1所示。“与 Ramtron 的协作及在德州仪器 130nm 工艺上 FRAM 技术的商业化发展，为高密度 FRAM 器件的生产奠下了新的标准。通过在标准的 130nm 制造工艺中直接增加制造项目，我们可以达到成本、功耗及性能方面的特性，而这些特性对于其它嵌入式非易失性存储器技术来说却很难实现。” 德州仪器 FRAM 开发总监 Ted Moise 博士解释说。

这种4Mb FRAM是标准异步SRAM完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时毋需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。FM22L16是真正的表面安装解决方案，与SRAM不同的是它不在需要电池而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特性。

FM22L16备有便于与现今高性能微处理器相连的接口，兼具高速页面模式，可以高达40MHz的速度进行4字节Burst读/写操作，这比普通RAM的总线速度高出很多。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA，在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V电压工作。目前工程样件现已提供，并计划在2007年第三季限量供应，第四季开始量产。