日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的RF Micro Devices,Inc.宣布，该公司在6月5-7日于夏威夷、檀香山举行的2007年IEEE MTT-S国际微波研讨会上展出用于无线基础设施的新系列GaAs pHEMT低噪声放大器(LNA)，并展示其面向商业及军事应用的GaN高功率产品。
RFMD将展出RF386X系列LNA，该系列器件是蜂窝及WiMAX基础设施市场的理想选择。这些新型宽带LNA提供了700MHz～3800MHz的功能，并且完美结合了比同类竞争解决方案更出色的噪声与线性。RF386X系列LNA非常适用于面向CDMA、PCS、DCS、UMTS、WLAN及WiMAX应用的第一阶段低噪声及线性驱动放大。
此外，RFMD还将在自己展台主持两场RF产品演示，充分展示采用其第一代48VGaN晶体管技术的RF产品。
首先，RFMD将展示RF3934的RF功率性能，这是RFMD RF393X产品系列中的一款48V GaN 120W功率晶体管。RF393X产品系列可提供10W～120W的功率性能以及超宽的可调带宽—展示了GaN技术提供的高功率与带宽的出色组合，该技术远胜于竞争的GaAs及硅技术。RF393X系列可提供极高的峰值效率，并且适用于广播、蜂窝无线基础设施、高功率雷达、航天及航空电子等应用。
其次，RFMD将展示RF3825的RF功率性能，这是RFMD RF382X产品系列中的一款28V GaN 10W宽带功率IC。RF3825在225MHz～1800MHz的频率范围内提供功率性能，是RF382X产品系列中带宽最宽的产品。在比同类竞争解决方案更小的单个解决方案中，RF3825在多个倍频程中展示了10W功率性能。RF382X系列在工作带宽中提供了极高的峰值效率，非常适用于3G蜂窝基础设施、军用通信、软件可定义无线电(SDR)及公共移动无线电等应用。
此外，该公司还将展出高整合度RF解决方案系列，其中包括用于GSM/GPRS、EDGE、CDMA及WCDMA手机的RFMD业界领先蜂窝前端，用于GSM/GPRS及EDGE手机的POLARIS TOTAL RADIO RF解决方案，WLAN前端，以及基于软件的GPS解决方案。