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Microchip推出1Mb串行EEPROM

作者:  时间:2007-09-21 08:59  来源:Edires

Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出业界速度最快(20 MHz)的1 Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024(25XX1024)。同时,公司还推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512(25XX128/512)等多款128 Kb和512 Kb串行EEPROM器件,涵盖整个串行外设接口(SPI)存储密度范围(1 Kb至1 Mb)。

所有新器件均可在高达125°C的温度下工作,并可提供Microchip所有串行EEPROM产品一贯享誉业界的卓越功能和性能,包括超过一百万次的擦/写次数,以及长达200年的数据保持能力。

最新的10 MHz 25XX128/512器件及20 MHz 25XX1024 EEPROM器件可提供字节级的读写功能,既无需外部存储器,也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度,降低编程电压,减少元件数量并简化系统操作。此外,无论在工作还是待机状态下,各款新串行EEPROM的电流均较低,从而大大降低了功耗。这些器件均采用了Microchip独有的最新PMOS电可擦除单元(PEEC)工艺技术,使器件可在1.8至5.5V全电压范围下工作,并具备Microchip享誉业界的出众耐擦写性能。

Microchip存储器产品部副总裁Randy Drwinga表示:“客户所渴求的是能够在对串行闪存电压、温度及扇区操作均有严格限制的应用中采用真正有用的高密度SPI EEPROM器件。我们完整的SPI产品线正可以满足客户之所需。客户可以继续采用Microchip的产品,尽享其优越的耐用性和数据保持功能,以及我们完善周到的服务和准时可靠的产品交付。”

器件特有的特性

25XX512及25XX1024是针对125°C工作温度推出的业界首款512 Kb及1 Mb SPI串行EEPROM器件。此外,两者均具有“深度省电模式”指令,可进一步降低待机电流,可在EEPROM器件处于非使用状态时节省功耗。对于仍需某些闪存指令的应用,25XX1024及25XX512器件可在每枚芯片的四个扇区内提供扇区擦除、芯片擦除和读取识别(ID)功能。换而言之,上述产品可同时响应串行EEPROM和闪存指令,从而成为同类产品中最灵活的器件。

由于25XX128/512/1024串行EEPROM器件能在更广泛的温度范围下工作,且功耗较低,因此非常适用于高、低电压及高温应用领域,例如消费电子(移动电话耳机)、医疗(助听器)及汽车应用。

开发支持

所有支持Microchip存储器产品的开发工具均可用于25XX128/512及25XX1024串行EEPROM器件。其中的SEEVAL? 32串行EEPROM设计者工具包(部件编号DV243002)有助于用户快速轻松地开发出可靠耐用的串行EEPROM应用,显著减少系统集成及软硬件调试所需的时间。该工具包现于www.microchipdirect.com供应。其中包括:

*Microchip的Total Endurance?软件模型
*SEEVAL 32开发板及用户界面软件
*串行缆线和电源
*串行EEPROM样片包
*SEEVAL 32快速入门指南

Total Endurance软件是一款简便易用的高性能工具,可用来模拟及设计串行EEPROM应用。采用该软件,设计人员无需猜测即可确定嵌入式设计中串行EEPROM器件的寿命。过去耗时数天甚至数周的设计权衡分析,现在只要花几分钟就能完成,并可达到应有的精度,确保开发的设计真正持久耐用。

供货情况

25XX128器件备有8引脚PDIP、TSSOP、SOIC、SOIJ、5 x 6 mm DFN及旋转式SOIC封装。25XX512串行EEPROM器件备有8引脚PDIP、SOIC、SOIJ及5 x 6 mm DFN封装,25XX1024串行EEPROM则备有8引脚PDIP、SOIJ及5 x 6 mm DFN封装。

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