>
首页 » 业界动态 » RAMTRON推出4位状态保存器

RAMTRON推出4位状态保存器

作者:  时间:2007-09-12 09:46  来源:Edires

Ramtron International Corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 F-RAM技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。

FM111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5V的FM1110;以及工作电压为3V的FM1112 和FM1114。FM111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或D型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、LED驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。FM1114的独特之处在于具有低于.5µA的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。

Ramtron技术市务总监Craig Taylor称:“FM111x是2位状态保存器的自然扩展,专为应用需要更多数据的客户而开发。4位状态保存器是不断演变的真正创新产品系列中的第二个产品线,F-RAM技术具备高速写入、低功耗和几乎无限的耐用性,因而使到这一功能能够实现。”

这种低功耗非易失性状态保存器是一个逻辑构件,无需读取存储器就可以对非易失性系统设置进行连续存取。它能够存储变化频繁而毋须预先通知的信号,还可以在无需增加串行存储器系统开销的情况下,对系统设置进行非易失性存储。

产品特性

FM1110的工作电压范围为4.5 至5.5V;FM1112则为2.7至3.6 V,具有低于10 µA的低待机电流;FM1114的工作电压范围也是2.7至3.6 V,但具有低于.5µA的超低待机电流。所有器件均以1 KHz的频率连续改变状态,并提供无限次的状态改变,可在整个工业温度范围 (-40℃至85℃) 内工作,且采用16脚 “绿色” QFN封装。要了解有关产品的详细信息,请访问网址:www.ramtron.com/statesaver

供货

FM111x的工程样品现已提供,器件采用符合RoHS要求的16脚QFN封装。

相关推荐

Ramtron推出最低功耗非易失性存储器FM25P16

Ramtron  存储器  2012-03-08

Digi-Key公司与Ramtron签署全球经销协议

Digi-Key  Ramtron  半导体  2012-02-17

Ramtron任命Scott Emley担任市场推广副总裁

Ramtron  存储器  2011-10-27

Ramtron推出64Kbit串口F-RAM存储器样片

Ramtron  F-RAM存储器  2011-07-26

Ramtron出货首批使用新IBM制造的F-RAM样片

Ramtron  F-RAM  2011-06-23

Ramtron增强管理团队

在线研讨会
焦点