全球领先的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列，推出4位状态保存器，以4位 F-RAM技术为基础，无需耗电即可保存逻辑状态，并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内，这是因为F-RAM存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性，以及极高的耐用性。
FM111x 4位状态保存器目前有三款产品：即工作电压为5V的FM1110；以及工作电压为3V的FM1112 和FM1114。FM111x系列的操作类似传统的逻辑构件，使用起来就像双锁存或D型触发器一样简单，但在断电时可自动存储和保持逻辑状态，从而简化系统控制功能在各种应用中的设计，包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、LED驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。FM1114的独特之处在于具有低于.5µA的超低待机电流，因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用，如八进制锁存和非易失性计数器等。
Ramtron技术市务总监Craig Taylor称：“FM111x是2位状态保存器的自然扩展，专为应用需要更多数据的客户而开发。4位状态保存器是不断演变的真正创新产品系列中的第二个产品线，F-RAM技术具备高速写入、低功耗和几乎无限的耐用性，因而使到这一功能能够实现。”
这种低功耗非易失性状态保存器是一个逻辑构件，无需读取存储器就可以对非易失性系统设置进行连续存取。它能够存储变化频繁而毋须预先通知的信号，还可以在无需增加串行存储器系统开销的情况下，对系统设置进行非易失性存储。
产品特性
FM1110的工作电压范围为4.5 至5.5V；FM1112则为2.7至3.6 V，具有低于10 µA的低待机电流；FM1114的工作电压范围也是2.7至3.6 V，但具有低于.5µA的超低待机电流。所有器件均以1 KHz的频率连续改变状态，并提供无限次的状态改变，可在整个工业温度范围 (
供货
FM111x的工程样品现已提供，器件采用符合RoHS要求的16脚QFN封装。