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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗 (<30V) 应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的热阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench® 技术,封装为
这些
FDMJ1023P和FDFMJ2P023Z的主要特性包括:
- 节省空间,因为这些MicroFET开关较采用SC-70封装的功率开关体积减小20%
- 确保在低至1.5V栅极驱动电压下运作,能够满足便携式应用的电压要求
- 出色的电气性能和热性能
- RDS(ON)
- 热阻89 ۫۫C/W
飞兆半导体提供业界最为广泛并提升热性能的超紧凑低侧高器件,瞄准低功耗应用。这些易于实现及节省空间的高性能MOSFET适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。
FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用无铅 (Pb-free) 端子,潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。
供货: 现提供样品
交货期: 收到订单后12周内
查询更多信息或价格详情,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-5298-6262;北京办事处,电话:010-8519-2060 或访问公司网站:www.fairchildsemi.com。
要了解相关产品的更多信息,请访问网页:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMJ1023PZ.pdf;
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFMJ2P023Z.pdf。