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年终旺季需求支撑,NAND FLASH合约价短期平稳

作者:  时间:2007-11-20 08:54  来源:中电网

11月上旬NAND Flash合约价格大致跌幅约为0-5%,比前两个月跌幅明显缩小,主要是因为下游客户在10月已陆续进行降低库存的动作,加上市场预期11月中旬要开始准备年底旺季的备货需求,根据集邦科技(DRAMeXchange)观察,NAND Flash价格走势在11月初已经出现止跌回稳的现象。

随着NAND Flash供货商5X纳米制程产品供应量提高后,下游客户采购颗粒开始转向以8Gb和16Gb MLC为主流,导致TSOP 4G MLC颗粒跌幅约为11%,相较于其它规格来得显著。有鉴于9月以来NAND Flash价格的连续下跌幅度已大,集邦科技预期NAND Flash合约价在年终假期销售旺季前的需求支持下,短期内可望呈现平稳的走势。

而过去数月,下游闪存卡业者生产1GB microSD时,一直面临原料不足的窘境,主要是因为上游供货商的5X纳米8Gb晶圆产出有限;随着供货商制程良率的不断改善,集邦科技预估今年底前缺货问题将可逐渐获得缓解。

原本下游闪存卡业者生产1GB microSD是用两颗6X纳米的4Gb芯片堆栈封装,但随着上游供货商的制程能力提升,业者可以只用一颗5X纳米的8Gb芯片进行封装,对于生产1GB microSD上有相对的成本优势存在;随着供货商5X纳米8Gb良率问题已逐渐解决,闪存卡业者将较能满足手机用户在旺季对1GB microSD的强劲需求,使其在旺季的业绩也将因此而受惠提升。

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