Chipidea 的USB 高速物理层 IP获得半导体 90 nm 和 65 nm技术认证

    MIPS 科技公司模拟业务部 Chipidea宣布其 USB 高速物理层（PHY）IP 已获得特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd）65nm 和 90nm工艺技术认证。Chipidea 的 USB 2.0 OTG 物理层内核符合 USB 2.0 标准并获得了独立认证权威 USB 实施者论坛（USB-IF）的认证，是业界 USB 高速物理层 IP 最丰富产品组合的一部分，经过了硅验证并获得了特许半导体客户就绪代工厂解决方案 0.18um、0.13um、90nm 及 65nm 认证。

        Chipidea 的 USB IP 有助于加快用户设计的 USB 和 USB OTG Supplement 进入便携式计算设备的上市时间，如手持设备、移动电话、海量存储设备及数码相机。这些设备的市场正在迅速发展。市场研究机构 In-Stat 的报告显示，2006 年全球 USB 设备的出货量超过了 20 亿台，该机构预测到 2011 年，年出货量将增长 12.3%。

Chipidea 的 CI12323cn（USB 2.0 OTG PHY）是作为 65 nm 标称工艺的特许半导体公共平台解决方案的一部分获得硅验证的。CI12343cm （USB 2.0 OTG PHY）也同样获得了 90nm低功耗工艺下的硅验证。该内核可以在多种工艺规格下使用。