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安森美半导体扩充功率MOSFET系列

作者:  时间:2008-02-21 09:05  来源:

全球领先的电源管理解决方案供商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出12款新的功率MOSFET器件,优化直流-直流(dc-dc)转换,并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET非常适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的低端开关,如中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)和系统输入端的dc-dc转换。

这些新的25(V)30 V器件是单和双N沟道MOSFET,提供较低的导通阻抗(RDS(on)),将功率耗散降至最低。这些器件还提供低门电荷和低门电荷比,降低导电和开关损耗。这些结合的性能提升电源子系统能效。

安森美半导体MOSFET部副总裁Paul Leonard说:“我们开发这些新的MOSFET,重点放在帮助客户满足他们的计算机电源管理需求。我们将持续扩充领先业界的MOSFET系列,尤其是用于不断发展的计算和便携应用。结合安森美半导体先进的双缘控制器,我们的MOSFET使客户能够从我们这家单一的全球供应商提供的有源器件实现完整的电源子系统。”

器件

下列4MOSFET器件采用SOIC-8封装,用于笔记本电脑 。每2,500片的批量预算单价介于0.350.53美元之间。

器件VDS (V)ID (A)导通阻抗(mΩ) @ 4.5 V 门电荷(典型值)(nc)

· NTMS4807N3014.8 7.5 24

· NTMS4816N3011 169.2

· NTMD4820N308 27 7.7

· NTMD4840N307.536 5.2

另外的8MOSFET新器件采用DPAK封装,用于台式电脑和游戏机。每2,500片的批量预算单价介于0.200.47美元之间。

器件VDS (V)ID (A) 导通阻抗(mΩ) @ 4.5V 门电荷(典型值)(nc)

· NTD4854N 25 128 3.6 73.6

· NTD4855N 25 98 4.3 44

· NTD4856N 25 86 4.738

· NTD4857N 25 78 5.7 32

· NTD4858N 25 73 6.225.7

· NTD4860N 25 65 7.521.8

· NTD4863N 25 49 9.317.8

· NTD4865N 25 44 10.9 14.6

所有这些器件都符合RoHS指令,并以无铅封装供货。

安森美半导体计算机产品部高级副总裁兼总经理宋世荣(Bill Schromm)说:“去年是安森美半导体计算应用电源管理系列蓬勃发展的一年。我们成功地扩充了双缘控制器和MOSFET产品阵容,以满足台式电脑和笔记本电脑市场的需求;我们还收购了Analog Devices, Inc.的计算应用的稳压及热监控产品线。我们计划在2008年内不断推出创新的计算应用产品,进一步地帮助客户开发紧凑、高性价比和高能效的电源子系统。”

有关安森美半导体功率MOSFET的更多信息请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系Peter Tang (电邮:Peter.Tang@onsemi.com)

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