恩智浦半导体（NXP Semiconductor，由飞利浦成立的独立半导体公司）今天推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了20%，功率效率增长了两个百分点，而Rth热阻则降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶体管的最初原型将于2008年美国乔治亚州亚特兰大举办的IEEE MTT-S国际微波研讨会期间进行展示。
恩智浦RF功率产品线市场部门经理Mark Murphy表示：“随着移动电信运营商开始提供基于HSDPA和LTE等技术的超高速服务，无线网络基础设施的功率需求也已达到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技术，推出业界性能最高的LDMOS基站晶体管，其功率增加效率远高于目前市场上的任何产品。”
第七代LDMOS的性能创下新的纪录，达到3.8GHz，且输出电容减少25%，可实现宽频输出匹配，从而设计出更加简单、性能更好的Doherty放大器。Doherty已经成为新型基站发射器的首选放大器架构，帮助无线网络运营商提高效率并降低成本。
ABI Research射频（RF）元件与系统研究总监Lance Wilson表示：“随着数据驱动型服务逐渐成为无线基础设施的更重要的组成部分，一流的RF功率放大器性能就成为必需。恩智浦的第七代LDMOS技术，凭借其在功率密度和热性能方面取得的重大进步，理当成为公司进入相关应用顶级设备市场时的重要资产。”
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恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶体管将于2008年6月15至20号在MTT-S国际微波研讨会的第523号展位进行展示。BLC7G22L（S）-130的工程样片将于2008年第三季度问世。基于恩智浦第七代LDMOS技术的其他产品将于2009年推出。