富士通微电子推出用于消费类数字电子产品的低功耗256Mbit FCRAM

今天宣布推出一款用于消费类数字电子产品的低功耗256Mbit消费类电子产品FCRAM(1)，型号为MB81EDS256545。这款新型FCRAM产品为低功耗，系统封装(SiP)(2)设计的理想产品，自今日起提供样片。该款产品的特性是拥有64bit位宽的I/O口及使用低功耗DDR SDRAM接口，其数据吞吐速度相当于两个拥有16bit位宽I/O口的DDR2 SDRAM(3)，同时能减少最大约1瓦特(1W) (约70%)(4)的功耗，从而降低了消费类数字电子产品的功耗。该款产品是适用于低功耗消费类电子产品(如数字电视和可携式摄像录像机)的理想产品。
 
图 1: 新型FCRAM和DDR2 SDRAM的功耗比较



 
图 2: SiP 使用新型FCRAM的优点

近年来电子元件在性能和集成度方面的发展越来越高，推动了消费类数字电子产品发展，伴随而来的是如何解决散热的问题，于是开发了小封装芯片并努力提高消费类电子产品的省电性能。产业发展促进了市场对低功耗元器件的需求。
 
富士通微电子新型FCRAM特点是，其数据吞吐速度相当于两个拥有16bit位宽I/O口的DDR2 SDRAM器件，而耗电却降低70%，约1W。FCRAM的强大省电能力降低了消费类电子产品的功耗，同时更好的散热能力不仅能简化产品开发而且能降低元件成本。

    富士通微电子预测该存储器可取代传统的RAM，用于要求低功耗的消费类数字电子产品，如数字电视及可携式摄像录像机等，是实现产品价值和成本降低的理想解决方案。


样片价格和提供

产品名称	样片价格	样片提供
MB81EDS256545	1,000 日元	自2008年6月26日起

销售目标
每月一百万片
产品特点
1. 数据传输时与DDR2 SDRAM相比，功耗最大减少了约为1W
DDR2 SDRAM和其它高速存储器接口要求终端电阻 (5)在运行时保持信号稳定，这样导致消耗更多的电流。这款新产品使用64bit位宽的I/O口在较低的工作频率下运行，不再需要终端电阻。其数据吞吐速度与两个拥有16bit位宽的I/O口的DDR2 SDRAM相当，同时实现功耗减少70%，约1W (见图1)。
2. 两倍于DDR2 SDRAM的高速大规模图像数据处理能力
该产品拥有64bit位宽的I/O口和高达216 MHz的工作频率，每秒的最大数据吞吐量为3.46G字节(3.46 GBps)，是典型DDR2 SDRAM的两倍，适用于处理图像/视频数据和其它需要高带宽的数据，如数字电视等。
3. 专为SiP设计的存储器节省了贴装空间
产品设计把逻辑芯片集成到SiP，从而缩减了电路板上的贴装空间，进而降低元件和板材成本。除为SiP集成提供晶圆外形外，富士通微电子(FML)的新型FCRAM还可用于晶圆级封装(WLP)(6) (见图 2)。

 
术语解释
1 消费类FCRAM电子产品:
快速周期随机存储器(FCRAM)是富士通拥有自主知识产权的RAM内核架构，主要特点是高速度和低功耗。消费类FCRAM电子产品是指通过结合FCRAM内核和符合产业标准的低功耗DDR SDRAM接口而开发的适用于消费类数字电子产品的FCRAM产品。
2 系统封装(SiP):
系统封装是指不同的半导体元器件，如存储器和逻辑芯片，通过不同技术混载于同一封装之内的技术或者产品。
3 DDR2 SDRAM:
第二代同步双倍速率动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)是DRAM的标准之一。与DDR SDRAM (其传输速率是SDRAM的两倍)相比，DDR2的运行速度更快，功耗更低，符合DRAM元件的主流市场发展趋势。
4 降低功耗:
该比较是基于计算使用该新型产品和竞争对手的两个DDR2 SDRAM在吞吐3.2GBps数据时的所耗电流。因为大部分的DDR2 SDRAM的所有功耗由终端电阻产生，因此只要除掉终端电阻便可省电。
5 终端电阻:
电阻连在电路或信号终端，可防止反射导致信号失真。DDR2 SDRAM使用片上终端(ODT)把电阻置入芯片上。
6 晶圆级封装 (WLP):
晶圆级封装是一种紧凑型的芯片尺寸级的封装。在晶圆上经过焊锡凸点和标记等封装处理后，每个WLP器件可经由划线单独分割。