赛普拉斯宣布推出2 Mbit 和 8 Mbit nvSRAM

 日前，赛普拉斯半导体公司 (NYSE: CY) 宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 产品系列。该新型产品的存取时间短至 20 纳秒，支持无限次的读写与调用循环，而且数据能保存 20 年之久。nvSRAM 为需要持续高速写入数据和绝对非易失性数据安全的应用提供了最佳解决方案，因此成为了服务器、RAID 应用、恶劣环境下的工业控制、汽车、医疗以及数据通信等领域的理想选择。

CY14B102 2 Mbit nvSRAM 与 CY14B108 8 Mbit nvSRAM 均符合 ROHS 指令，可直接取代SRAM、电池供电的 SRAM、EPROM 及 EEPROM 器件，毋需安装电池就能确保可靠的非易失性数据存储。断电时，数据可自动从 SRAM 传输到 nvSRAM 器件的非易失性存储单元。通电时，数据则能从非易失性存储器恢复到 SRAM 中。上述两种操作都能通过软件控制实现。新型 nvSRAM采用赛普拉斯的 S8™ 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (SONOS) 嵌入式非易失性存储器工艺制造而成，具有更高的密度、更短的存取时间以及高出色的性能。如欲了解有关赛普拉斯 nvSRAM 产品系列的更多详情，敬请访问以下网址：www.cypress.com/NVM。

赛普拉斯非易失性产品部的副总裁 Robert Dunnigan 指出：“随着 2 Mbit和8 Mbit nvSRAM 的推出，赛普拉斯拥有了市场上最全面、最丰富的存储器产品系列，该产品系列分销渠道非常广泛并得到了最佳支持。nvSRAM 为客户提供了业界最佳的高速非易失性存储器解决方案，这些高密度产品能在新型应用中充分发挥其优势。”

2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM 支持实时时钟特性，既能实现业界最低的待机振荡器电流，又能确保集成存储器的最高性能，从而在非易失性存储器的支持下可实现事件时间戳功能。

nvSRAM 是业界最佳的高速非易失性存储器解决方案，相对于电池供电的 SRAM 而言，其板级空间更少、设计复杂性更低，而且比磁性随机存储器 (MRAM) 或铁电存储器 (FRAM) 更加经济可靠。2 Mbit 和 8 Mbit 的nvSRAM是赛普拉斯nvSRAM 产品系列中的最新成员，该系列旗下目前已实现量产的其它产品还包括16 Kbit、64 Kbit、256 Kbit、1 Mbit和4 Mbit的器件。

作为 SONOS 工艺技术的领先公司，赛普拉斯将在新一代 PSoC® 混合信号阵列、OvationONS™ 激光导航传感器、可编程时钟及其它产品中采用 S8 技术。SONOS 与标准 CMOS工艺高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗辐射加固等众多优势。此外，SONOS 相对于其它嵌入式非易失性存储器技术而言，也是一款更稳健、更易于制造、更低成本的解决方案。

供货情况与产品照片
赛普拉斯的 2 Mbit和 8 Mbit的 nvSRAM 目前已提供样品，预计将于 2008 年第三季度开始投产。上述产品可采用 48 引脚 FBGA 封装以及 44 引脚和 54 引脚的 TSOPII 封装。此类非易失性 SRAM 是根据赛普拉斯公司此前与西姆泰克公司（Simtek Corporation）签订的协作产品开发协议而共同开发的器件系列中的第二批产品。如欲查看2 Mbit和8 Mbit nvSRAM的高清晰度照片，敬请访问以下网址：www.cypress.com/go/pr/photos/2M8MnvSRAMs。