在微处理器复位IC中调节滞回

　　随着VIN上升到1.0V以上，/RESET输出为低电平，表明输入电压低于监测门限。电流从VIN经过RP到内部的MOSFET驱动器，然后经过RH到GND，在RH上产生一个偏移电压。由于内部的电压基准以GND为参考，偏移电压加到了VCC上升时的门限值。新的上升门限值可以计算如下：

　　当VIN上升并跨越这一门限，而且保持时间超出复位周期时，/RESET解除复位状态，流经RH的电流下降，使VCC门限值恢复到标称值。

　　假定一个微处理器复位IC(MAX6383XR31D1)的复位门限为3.08V，上拉电阻(RP)为10kΩ。如果希望上升时的门限为3.18V(100mV滞回)，由上述方程可以得到RH(忽略供电电流和MOSFET输出驱动器导通电阻的影响)，为324.68Ω。最接近的1%标准电阻是324Ω。

　　示波器图片(图2)显示了电路的工作状态。测量到上升时的门限值为3.1984V，下降时的门限值为3.0891V，产生109.3mV滞回。9.3mV差异(相对计算值100mV)主要是由MOSFET的导通电阻、器件供电电流以及电阻误差所致。

　　注意，RH会把滞回电压添加到/RESET输出的VOL(逻辑低电平电压)。在这个例子中，VOL测量到的最大值为127mV。因此，应该确保连接到/RESET的电路能接受高一点的VOL。

　　图 1 电路中，RH和RP用于调整滞回并确定复位周期

　　图 2 对图1电路的测试波形，100mV滞回，即VCC(CH1)在/RESET(CH2)上升沿和下降沿交点的电压差为100mV