目前，半导体产业的迅猛发展再次激发了现代技术的革新。作为第三代宽带隙半导体材料，SiC 在热学、电学、抗腐蚀等性能方面优越于常用的衬底材料，可广泛用于制造半导体照明、微电子、电力电子等半导体器件。根据权威机构 -- Yole 发展公司在2008年的市场报告，SiC 晶圆的市场规模在2012年将达到4亿美元，3英寸、4英寸以及更大尺寸的 SiC 晶圆将成为国际市场的主流产品。因此，国际上主要的 SiC 晶圆生产商：北美的 Cree 和 Ⅱ-Ⅵ 公司、欧洲的 SiCrystal 和 Norstel 公司、亚洲的天科合达蓝光半导体有限公司和 Nippon Steel 公司，一直在努力改善晶体质量和放大晶体尺寸。其中，美国 Cree 公司的 SiC 晶圆产销量处于国际领先地位，占有约60-70%的市场份额，但是对于其他生产商的技术优势正日渐减小。过去的几十年间，多种高性能的 SiC 基半导体器件已被成功研制。然而，价格因素仍是阻碍 SiC 晶圆在国际上广泛应用的壁垒。
作为亚洲地区 SiC 晶圆产销的旗帜性公司，天科合达依托于享誉国内的中科院物理所的技术支撑，一直致力于高质量 SiC 晶圆的稳定生产，为 SiC 基器件的研发和应用提供保障。日前，天科合达在 SiC 单晶生长技术方面取得了突破性进展，已经实现了2英寸和3英寸高质量 SiC 晶圆的稳定批量生产。天科合达为了满足相关研究机构及工业用户对于 SiC 晶圆日益增加的需求，大幅调整了两种2英寸高质量产品的销售价格：导电型 6H-SiC 每片150美元，导电型 4H-SiC 每片250美元，这个价格较国际同类产品价格低60%左右。此产品质量居国内领先、国际先进水平，即两种产品的微管密度均低于30个/cm2，X-射线衍射摇摆曲线半高宽小于50弧秒。此外，天科合达是否或何时对其3英寸 SiC 系列产品进行价格调整值得期待。相信天科合达新的价格策略将极大地加速 SiC 基器件产业的发展步伐，如发光二极管，肖特基二极管，混合动力汽车的转换器等。天科合达也将于近期推出其最新开发的非掺杂半绝缘 SiC 晶圆，可广泛用于制备高性能功率器件。