该电路(图1)由过零检测电路、逻辑隔离电路、变脉宽振荡器、隔离的可控硅触发电路、缓冲网络组成。全波过零检测器连接至一个光隔离的变脉宽振荡器,振荡器控制光隔离可控硅的导通时间,从而对负载进行相位的控制。详细的电路描述如下:
图1 功率可控硅光隔离相位控制电路
全波交流至逻辑电路耦合器。市供交流电压径IN4001二极管桥管整流后,连接至HIILI逻辑输出光耦合器的镓砷LED。LED的正向电流设定在10-50mA之间,产生的红外辐射将高速schmitt输出级触发到通导状态。这个过程每隔交流电压半周期重复一次,接近于过零状态。
限流电路。R1是稳压二极管与光耦合器输入LED两者的限流电阻。R2为稳压二极管提供一个小的偏流,确保它工作在拐点以上的线性区,也为LED提供一条泄漏电流的路径。
R1=(VIN-VF)/IF
上式中,VF为二极管正向电压,IF为正向电流。
变脉宽振荡器的老隔离触发。HIILI输出产生一个720?S脉宽的直流信号,Q1NPN晶体管则产生一个倒相信号,以符合LM555定时电路触发输入的要求。
变脉宽振荡器。在输入触发信号的每个下降沿,LM555单片定时电路产生一个正向脉冲,脉冲占空比由C1、R5和R1控制,脉冲持续时间为:
t=1.1×(VR1+R5)×C1
电容C1上电压与输入触发信号的波形示于图2。
隔离可控硅触发过程。振荡器输出信号Vtd加到MOC3023可控硅驱动器的LED,当流过LED的正向电流足够大时,驱动器通导,在功率可控硅中产生一个栅电流,将它触发至通导状态,而一旦可控硅通导,即便驱动器加有正向电流,也要被迫进入关闭状态。可控硅MT2栅电压跌落至低于光耦合的阈值电压以下,无法维持光耦合器通导。图2表示可控硅端电压V与栅触发信号Vtd的关系。相位控制的最小负载功率,送给负载的平均功率受输入到驱动器波形持续时间控制。相位延迟越长,通导角以致送给负载的功率越小。RF5、VR1与C1设定了最小负载功率,也能确保可控硅通导与驱动器关闭。图1电路的最小通导角为12度。
图3 可控硅工作波形
防误触发网络。如果加至可控硅电压的上升速率超过它的du/dt,可控硅可能会无意地通导。为了防止假触发,在驱动器输出处增加了一个防误触发网络,它限定了最大的dv/dt值。防误触发网络可按感性负载的功率因子来确定,并根据实际du/dt值进行修正。
du/dt=Vto/(R9*C2)
=180/(180*0.033)
=30.3V/?S
上式中,Vt0是瞬间电源线上电压峰值,负载电感的存在使du/dt 值变差。电阻R8限制了电容通过驱动器放电的电流峰值:
R8=VPK/Imax
=180/1.2A
=150Ω(1/2W)
上式中,VPK是栅触发所需的电压,Imax是光耦合器能承受的最大浪涌电流