随着基于 LDMOS（laterally-diffused metal oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体）技术的三个高性能 RF 功率晶体管的推出，飞思卡尔半导体扩展了它在 GSM EDGE 无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能，使它们轻松集成到放大器内，同时可提供卓越的性能水平。
飞思卡尔副总裁兼 RF 部门总经理 Gavin Woods 表示：“随着行业向第三和第四代无线业务不断迈进，GSM 无疑是部署最为广泛的无线技术。飞思卡尔最新的 RF 功率晶体管的设计旨在通过提高基站收发器的效率，帮助全球的 GSM 运营商提高来自每个用户的平均收入。”
MRFE6S9046N （920 至 960 MHz）
对于 GSM EDGE 的应用，MRFE6S9046N 的运行频率为 920 至 960 MHz，提供17.8 W 的平均 RF 功率输出，19 dB 的增益，效率高达 42.5%，且误差矢量幅度的均方根（RMS）值不超过2.1%。它内置在飞思卡尔超模压塑胶封装中，该封装是精确机械公差和成本效率的结合。此外，该封装是表面安装的，这使它能够支持自动化的制造流程。而且，增强型的内部阻抗匹配能使制造商更轻松地适应印刷电路板的变化。内部输出匹配不仅在基本频率上实现了用户友好的终端阻抗，而且还包括赖以实现更高效率的第二和第三个谐波终端，以符合 F 级放大器的理论。
MRF8S9100H/HS（920 至 960 MHz) 与 MRF8S18120H/HS（1805 至 1880 MHz）
这些 28 V 的器件专为 GSM 与 EDGE 系统中的 AB 级与 C 级的操作而设计。在 GSM EDGE 业务中，MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 运行时提供 45 W的平均功率，19.1 dB 的增益，44%的效率以及均方根（RMS）值为2.0%的误差矢量幅度（EVM）。
在 GSM EDGE 业务中，MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 运行时提供 46 W的平均功率，18.2 dB 的增益，42%的效率以及均方根（EVM）值为1.7%的误差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 与 MRF8S18120H/HS 内置在结实的气腔陶瓷封装中。MRF8S9100H/HS 还能够在 GSM 800 频段中操作，而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 频段中的操作。所有这三个器件都是内部匹配的，以简化电路设计，符合 RoHS规范，并且还包含内部 ESD 保护电路。
定价和供货情况
MRFE6S9046N 现已成批生产，而且也可提供样品。MRF8S9100H/HS 与 MRF8S18120H/HS 现在也处于样品性能试验阶段，预计2009年7月全面投入生产。参考测试设备将与预期于2009年7月生产的大型信号模型一起提供。如需样品和定价信息，请与飞思卡尔半导体本地销售办事处或授权经销商联系。
请参观6月7-12日波士顿 IMS MTT-S (www.ims2009.org) 展会中2018号的飞思卡尔展位。如需最新的展示更新信息，请关注 RFLeonard在Twitter 上的微博客 ： www.twitter.com/RFLeonard