Vishay Siliconix的新款第三代12V TrenchFET®功率MOSFET提供了业内最佳的导通电阻性能

SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ，皆为业界最佳；器件的导通电阻与栅电荷乘积只有85nC，为业内最佳

宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 7 月 28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。

额定电压12V的SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ。导通电阻与栅电荷的乘积是评价用于DC-DC转换器应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，该器件在4.5V电压下的栅电荷只有85nC。

与对低传导损耗和低开关损耗进行过优化的最接近的竞争器件相比，这些指标表明该器件在10V和4.5V下的导通电阻分别减小了40%和35%，FOM降低了29%。更低的导通电阻和栅电荷意味着更低的传导和开关损耗。

Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低输入电压(5V～3.3V)同步降压转换器、低输出电压(5V，3.3V和更低)OR-ing应用，以及各种采用5V和3.3V输入电压负载点(POL)转换器的系统中的低压侧MOSFET，在这些应用中，新器件的低导通损耗和低开关损耗将能够更有效率地使用能源。

对于低输出电压的应用，12V的栅源额定电压恰好够用，但迄今为止，设计工程师被迫选用20V的器件，尤其是设计者同时需要最低的导通电阻和20V的栅源电压时。SiR494DP是具有这些特性的首款MOSFET：VDS=12V，VGS=±20V，在10V栅极驱动下的导通电阻只有1.2mΩ。
新型功率MOSFET采用PowerPAK® SO-8封装。这款无铅、无卤素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC规范，并100%通过了Rg和UIS测试。

第三代N沟道TrenchFET家族中其他器件的详细信息可至http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/查询。SiR494DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。

VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。

Siliconix创建于1962年，在1998年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注册商标