ADI用于4G蜂窝基站的突破性射频电路推出

Analog Devices, Inc.，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出设计用于LTE（长期演进）和第四代（4G）蜂窝基站的高集成度RF IC（射频集成电路）系列。LTE是UMTS（通用移动电信系统）标准的增强版，它被视为迈向蜂窝网络中第四代射频技术的终极阶段。

当今社会，移动通信已逐渐成为人类生活不可缺少的部分，人们需要利用移动通信来进行随时随地沟通。同时，随着手机用户数与全球无线基础设施建设的快速增长，这就要求基站必须提升数据流容量(蜂窝容量)，因此对射频电路的集成化以及成本都提出了更高的要求。为解决射频卡的高密度集成问题， ADI公司推出的新型ADRF660x系列混频器与ADRF670x系列调制器将多个分立功能模块集成到单个器件，并能满足更高容量基站所需要的严苛性能，实现了这些高密度射频卡。通过这种前所未有的集成度，基站制造商可以将电路板空间显著缩小60%，并大幅降低材料清单成本。

随着全球移动运营商向4G技术演进，需要具有小外形尺寸的更高密度射频卡，以支持提供连续语音和高数据速率服务。如果说中国3G牌照的发放是一个令人振奋的机会，那么，我国在4G技术的部署和研发也必将大大加快射频集成电路产品供应商迈向4G的步伐。我国启动4G研发已经有5年的时间，为了达到4G网络所需要达到的速率要求， 4G至少需要3倍于现有基站的数量。如上海已经启动了研发4G的科研项目， 2010年世博会前预计可新建近千个基站。以目前国内3G运行的状况，也有专家建议中国有跨过3G直接上4G的可能性。因此，可以预测4G将拥有庞大的用户市场。4G市场的发展及潜在需求需要有可实现高密度射频卡的新型高集成度RF混频器和调制器，从而提升LTE和4G基站的容量和速度。ADI公司为迎合该契机，推出了用于4G蜂窝基站的突破性射频集成电路产品系列。ADI一直秉承设计创新的理念，同时非常期待继续为这个快速成长且充满活力的市场服务。

“如今的3G和LTE基站采用许多标准分立RF器件来优化发送和接收RF信号通路的性能，ADI公司的新型ADRF660x和ADRF670x产品系列将射频转换功能模块整合到一个集成电路中，并且不牺牲性能，”ADI公司线性RF产品部副总裁Peter Real表示，“这些新型器件采用ADI的PLL/VCO合成器、混频器和调制器技术，可以为较小外形尺寸和较高密度的宏、微和微微蜂窝基站提供业界领先的相位噪声性能、功耗和线性度。”

关于ADRF660x和ADRF670x系列
新型ADRF660x和ADRF670x系列均提供四款引脚兼容的器件，覆盖常用的蜂窝2G、3G和LTE频段，并通过集成可实现支持所有蜂窝频段和空中接口标准的公共外形尺寸PCB（印刷电路板）设计，可简化系统设计。

四款ADRF670x产品将高动态范围模拟I/Q调制器、RF输出开关和PLL（锁相环）与集成式VCO（压控振荡器）集成在一个紧凑型RFIC中。其调制器输入带宽为500 MHz，能支持规定的频段或复杂的IF上变频发送信号通道。此外，调制器输出支持用于宽带多载波LTE应用的线性高输出功率水平。 

四款ADRF660x产品将高线性度有源RF混频器、用于单端50 Ω输入的RF输入巴伦以及PLL合成器与集成式VCO整合到一个紧凑型RF电路中。其有源混频器提供6 dB的电压转换增益，相比同类竞争性无源混频器，可减少对额外的IF放大的需求。差分IF输出支持高达500 MHz的最高IF频率。ADRF660x系列可用于接收器通道下变频和发送通道观测接收器应用。

这八个器件都具备一个公共的SPI控制接口，并且软件兼容。集成式PLL是设计用于支持LTE的100 KHz信道栅的多模小数N分频合成器，可提供业界最低的带内相位噪声。为获得更高的灵活性，所有器件都提供缓冲的本振（LO）输出，并支持使用外部VCO。如需了解更多信息及完整的数据手册，请访问www.analog.com

供货、报价与配套产品
ADRF660x集成式混频器现可提供样片，万片订量报价为8.98美元/片。ADRF670x集成式调制器现在也可提供样片，万片订量报价为9.98美元/片。下表列出了ADRF660x和ADRF670x系列所有产品的频段：