首页 » 业界动态 » Diodes低压降稳压器提升系统稳定性及瞬态响应

Diodes低压降稳压器提升系统稳定性及瞬态响应

作者:  时间:2009-11-30 13:06  来源:电子设计应用

Diodes 公司推出专为驱动低等效串联电阻(ESR)1µF MLCC电容器设计的一系列全新低压降线性稳压器 (LDO) ,用于降低系统级制造成本,并改善控制回路稳定性和瞬态响应。 

AP731x 和 AP733x 分别为 150mA 和 300mA 的CMOS LDO,2V 至 6V的宽输入电压范围能满足固定或可调输出电压要求。固定输出电压 LDO 的范围为1.0V 至3.3V,而可调节器件能支持 0.8V 至5V 的输出电压。

这些LDO 器件的规定输出精确度为2%,可在特定温度、线路电压及负载条件下保持一致的稳压。该器件可在–40oC 至 +85oC的整个工业温度范围内运行。

Diodes 全球营销经理许忠真指出:“这些LDO的内置过流、过温及短路保护进一步提高了电路的鲁棒性及可靠性。特别在便携式及低功率应用中,这些器件的55μA静态电流额定值可节约更多的电力。”

这些多功能的LDO 能使多种应用受益,包括XDSL 路由器、无线局域网卡、台式及笔记本电脑、鼠标、键盘产品以及电池驱动设备。

该LDO采用行业标准引脚排列,采用多种环保封装,包括SOT23、SOT25及可节约PCB空间和高度的 DNF2020-6。

相关推荐

集成LIN系统基础芯片功能的三通道半桥驱动控制器

艾尔默斯  LDO  MCU  2013-11-04

Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

Diodes  肖特基二极管  2013-07-04

Diodes:MOSFET控制器提升PSU效率

Diodes  MOSFET  控制器  2012-01-11

Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作

Diodes  MOSFET  2012-01-04

LDO成熟期 恩智浦打造切入点

NXP  LDO  智能手机  2011-10-25

为什么选择旁路电容很重要

旁路电容  LDO  2011-09-15
在线研讨会
焦点