SiGe半导体推出用于移动设备的集成式WiFi前端IC
全球最大、最成功的基于硅技术的射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列，推出RF开关/LNA 前端IC (FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计，能够满足新一代智能电话、上网本、个人媒体播放器和数码相机对融合多种连接能力(如WiFi™和蓝牙™)不断增长的需求。
SiGe半导体亚太区市场推广总监高国洪评论新产品时称：“我们推出的SE2601T产品，为客户提供了整合单刀三掷(SP3T) RF开关和WiFi™接收路径低噪声放大器(LNA)的单芯片解决方案。SE2601T集成在设备母板上或模块化解决方案中的多种分立功能，减少了电路板占位面积，并为今天之功能丰富的酷炫移动设备的设计人员提供了重要的优势。”
SiGe半导体开发SE2601T，旨在使用集成式CMOS功率放大器(PA)来增强蓝牙™/WiFi™芯片组解决方案的性能和功能性。
SE2601T充分利用了基于硅技术的RF解决方案的性能和功能集成优势。该器件通过在天线和RF接收器之间，放置广被CSR、Marvell、Broadcom 和 Atheros等领先供应商的芯片组使用的高性能LNA，来扩大WiFi™解决方案的连接范围。对于智能电话等嵌入式应用设备，由于WiFi™解决方案的实体空间限制，LNA功能每每因而被删减，从而导致连接性能劣化。另外，有鉴于嵌入式应用设备因使用小尺寸天线而影响信号质量，LNA器件能够显著提高至关重要的WiFi™接收系统的灵敏度。RF开关(支持蓝牙™和802.11bgn功能之间的天线共享)通常是一个分立器件，需要额外的无源器件，因而占位空间多于集成式2601T解决方案。因此，SE2601T可大大减少为了增强WiFi™性能所需的占位面积，同时支持蓝牙™和WiFi™功能的天线共享。
从竞争角度来看，SE2601T通过采用基于硅技术的IC工艺集成了所需的DC阻隔电容，而基于砷化镓(GaA) 的竞争产品却需要外部电容，故占用了更多的电路板空间，并增加了WiFi™解决方案的材料清单成本。
SE2601T是SiGe基于硅技术的RF开关/LNA产品系列的一员，采用2x
高国洪总结道：“SE2601T为客户设计提供了集成式解决方案，能够满足业界增长最快速之市场领域的某些需求。新产品具备缩短设计时间，最大限度减小占位面积，并减少所需元件数目的优势，因而成为在智能电话和其它嵌入式设备中实现融合型蓝牙™/ WiFi™功能的首选器件。”
SE2601T采用符合RoHS指令的无卤素、小引脚、
价格和供货
SE2601T器件订购1万片的价格为每片0.37美元。SiGe半导体现可提供SE2601T样本，并随产品提供器件及评测版的数据表，以及大量有关使用和实施的应用文档。
SiGe 半导体能够提供出色的客户支持服务，帮助客户设计、升级和改良其应用设计中的SE2601T模块，从而优化性能。
要获得采用了 SE2601T 之参考设计的最新清单，请联络 SiGe 半导体公司。
关于 SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor, Inc)
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor, Inc) 是专为计算、家庭娱乐和移动系统实现无线多媒体功能的全球领先射频 (radio frequency, RF) 前端模块供应商。公司创新地利用基于硅材料的半导体技术，简化了在移动电话、家庭娱乐系统与计算机，以及蜂窝和工业无线基础设施中集成RF功能的方式。SiGe 半导体是全球最大及最成功的基于硅RF前端解决方案供货商，通过卓越的性能和成本优势，把RF 解决方案带领至无晶圆运作的模式，从而快速地扩展无线服务。SiGe 半导体在中国香港、美国波士顿及加拿大渥太华的运营设施均获得 ISO-9001认证。随着无线通信逐渐渗透进人们的日常生活，SiGe 半导体将继续坚守承诺，为世界顶尖的消费、商业及工业电子产品厂商提供满足他们需求的解决方案。
关于SiGe半导体公司的无铅计划
在电子产品设计和制造过程中使用铅材料已成为全球日益关注的环保问题。为了响应业界广泛推动的环保倡议，SiGe半导体公司现今所有付运的产品均为无铅产品，并符合RoHS标准。