6月15-17日于夏威夷 由VLSI技术公司组织的讨论会上将听到两篇有关基于铜基的电阻型随机存储器(RAM)方面的报告。
其中一个研究小组来自上海复旦大学和中芯国际，它们提出采用铜与二氧化硅(CuxSiyO)的混合物，已经制成1Mbit存储器，并集成在标准逻辑工艺中。(注：通常逻辑工艺是无法与存储器工艺集成在一起制造)
该小组研究人员在文章前言中表示，通常被半导体知晓的两种铜的二氧化物，它们的铜空穴在特定的混合体CuxSiyo中迁移的激活能要比CuxO高出5倍多，因而大大改善性能。
同样来自台湾地区的Macronix(旺宏国际) (台湾新竹)在讨论会上也发表一篇文章。他们把通常更广泛用在相移存储器中的硫族化合物与铜及二氧化硅组合在一起，制造出一种电化学的电阻型随机存储器。(注：旺宏电子为全球最大及最先进的只读存储器生产制造公司。)
一种基于电化学感应的导电桥式的固体电解液被利用在TiTe加上Cu GeSbTe/SiO2材料中制成的电阻型存储器。
作者表示器件由一种铜掺杂的GeSbTe离子源， 一层SiO2及TiTe离子缓冲层组成。由于离子缓冲层把铜导电路径与铜离子源层分隔开，因而增加了材料的稳定性。此种三层器件具有很低的热阻及良好的电学特性。