三星量产全球首款30nm级工艺2Gb DDR3内存颗粒

　　三星电子今天宣布，已经开始在全球范围内首家采用30nm级工艺(30-39nm)批量生产2Gb DDR3内存颗粒。三星称，这种新工艺DDR3内存颗粒在云计算和虚拟化等服务器应用中电压1.35V，频率最高可达1866MHz，而在PC应用中电压为1.5V，皮哦年率最高2133MHz，号称比DDR2内存快3.5倍，相比于50nm级工艺的DDR3也要快1.55倍。

　　该颗粒属于三星的绿色内存系列，在服务器应用中能比50nm级工艺产品节约最多20%的功耗，在多核心PC系统中30nm级工艺4GB DDR3内存条相比50nm级2GB DDR3内存条速度快60%、功耗低65%。

　　三星会很快将这种30nm级工艺内存颗粒投入全面应用，生产4/8/16/32GB RDIMM服务器内存条、2/4/8GB UDIMM工作站和桌面内存条、2/4/8GB SO-DIMM笔记本和一体机内存条，并计划在今年底将其容量翻番到4Gb。