高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新产品作为面向DC/DC转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。
本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存储器的电压转换电路。例如，可作为降压电路，用于将电池提供的12V电压转换为1.05V，以便为CPU所用。随着公司进一步推进第12代生产工艺的小型化，瑞萨电子的新型MOSFET将FOM(品质因数=导通电阻×栅极电荷)在公司现有产品的基础上降低了约40%，这使电压转换过程中的功率损耗大幅降低，从而实现了更高的DC/DC转换器性能。
随着信息与通信产品(如服务器、笔记本电脑和图形卡等)性能的不断提升，其所需的功耗也在不断增加。与此同时，不断降低元件(如CPU、图形处理单元(GPU)、存储器、ASIC)工作电压的发展趋势又导致了电流的增加。这样就需要DC/DC转换器能够处理低压和大电流。除此之外，日益增长的节能环保需求，也提出了降低电压转换过程中的功率损耗与提高转换效率的要求。而瑞萨电子本次所推出的3款第12代功率MOSFET产品因其领先于业内的性能与降低约40%的FOM，满足了上述需求。
新产品所具有的25V电压容差(VDSS)为RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA分别实现了
此外，新产品的栅-漏电荷电容(Qgd)，即控制功率MOSFET的主要特性分别为1.2nC、0.9nC和0.6nC，也比瑞萨电子第10代功率MOSFET(利用相同的导通电阻进行测量时)低了约40%。该数值越小表明开关损耗越低，则更有助于大幅提升DC/DC转换器性能和提高能效。
通常，DC/DC转换器具有2个功率MOSFET：一个用于控制，另一个则用于实现同步整流。它们轮流开关以进行电压转换。假设新型RJK0210DPA用于实现控制，同时将瑞萨电子第11代RJK0208DPA用于实现同步整流，那么在将电压从12V转换为1.05V时，其最高功率转换效率则可实现90.6%(在输出电流为
新产品采用具有出色散热特性、尺寸为5.1 ×
今后，瑞萨电子还将不断开发适于各类DC/DC转换器的半导体产品，以进一步实现低损耗和高效率，并为开发出更小巧、更节能的系统做出贡献。
注释1：FOM(品质因数)：FOM是功率MOSFET公认的性能和效率指标。导通电阻(Ron)是功率MOSFET工作时的电阻。该数值越小则表明传导损耗越低。栅-漏电荷电容是让功率MOSFET运行所需的电荷。该数值越小则表明开关性能越高。
价格与供货情况
目前，瑞萨电子的新型RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA功率MOSFET样品已开始提供，其单价分别为0.55、0.46和0.38美元。新产品计划于2010年12月开始批量生产，并预计在2011年7月达到月产量约200万个。
(价格与供货情况如有变更，恕不另行通知。)
欲了解瑞萨电子新型功率MOSFET的主要规格，敬请参照独立数据表。
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