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Fairchild开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装

作者:  时间:2011-04-01 18:36  来源:电子产品世界

  为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出用于MOSFET器件的Dual Cool封装,Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件,可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。

  Dual Cool封装具有外露的散热块,能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比,Dual Cool封装在配合散热片使用时,可将功率耗散能力提高60%以上。此外,采用Dual Cool封装的MOSFET通过使用飞兆半导体专有的PowerTrench®工艺技术,能够以较小的封装尺寸实现更低的RDS(ON)和更高的负载电流。

  不同于其它采用顶部冷却的解决方案,这些器件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封装选项。Dual Cool封装保持与行业标准PQFN相同的占位面积,可让功率工程师快速验证采用Dual Cool封装的MOSFET器件,无需采用非标准封装,即可获得更佳的热效率。

  目前采用Dual Cool封装的器件包括FDMS2504SDCFDMS2506SDCFDMS2508SDCFDMS2510SDC(5mm x 6mm)FDMC7660DC(3.3mm x 3.3mm),这些器件是用于DC-DC转换器、电信次级端整流和高端服务器/工作站应用的同步整流MOSFET的理想选择。飞兆半导体Dual Cool 封装MOSFET具有顶部冷却和超低结温(RthJA)特性,能够提升热效率。采用Dual Cool封装的MOSFET器件可以使用或不使用散热片。要了解有关Dual Cool封装器件的更多信息,请访问网页: www.fairchildsemi.com/dualcool

  Dual Cool封装MOSFET是飞兆半导体行业领先的MOSFET产品系列的一部分,飞兆半导体通过了解空间受限应用对更高电流、更小占位面积DC-DC电源的需求,以及客户和其服务的市场,量身定做具备独特的功能、工艺和封装创新组合的解决方案,在电子产品设计方面发挥重要的作用。

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