首页 » 业界动态 » Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 级) 版本

Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 级) 版本

作者:  时间:2011-04-06 18:30  来源:电子产品世界

  凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP ) 版本,该器件是一款6A N 沟道MOSFET 栅极驱动器,在-55°C 125°C的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC/DC 控制器的输出功率及效率,从而使其能够驱动高功率N 沟道MOSFET 或多个并联的MOSFET。其栅极驱动电压从5V 8V 是可调的,从而允许设计师选择标准门限或逻辑电平MOSFETLTC4441 5V 25V 的宽输入电源电压范围内工作,为提高电信、工业系统和发动机控制应用中电源的输出功率能力提供了一种简化的解决方案。

  LTC4441 包括一个可非常容易地调节的5V 8V 内置线性稳压器,以提供其栅极驱动电压和IC 电源。当用7.5V 驱动电压驱动一个4.7nF 电容时,传输延迟仅为30ns。可调的前沿脉冲消隐能避免在检测功率MOSFET 中的源极电流时产生振铃。LTC4441 有一个坚固的TTL/CMOS 兼容输入,该输入能以低于地或高于驱动器电源的电压驱动。其他的保护功能包括欠压闭锁和过热电路,它们在启动时将停用驱动器输出。

  LTC4441 采用耐热增强型10 引线MSOP 封装。千片批购价为每片5.45 美元。

  照片说明:6AN 沟道MOSFET 栅极驱动器

  性能概要:LTC4441MP

  •   6A 峰值输出电流
  •   5V 25V 的宽输入电源电压范围
  •   5V 8V 的可调栅极驱动电压
  •   能以低于地的电压驱动逻辑输入
  •   可调消隐时间减少振铃
  •   30ns 传输延迟

相关推荐

继2012年表现黯淡之后,中国功率MOSFET市场将恢复生机

消费电子  MOSFET  2013-04-18

高压MOS缺货 晶片商抢推高整合LED驱动器

恩智浦  LED  MOSFET  2012-12-04

Vishay荣获2012中国年度电子成就奖

Vishay  MOSFET  转换器  2012-04-27

飞兆与英飞凌就创新型汽车无铅封装技术达成协议

飞兆  英飞凌  MOSFET  2012-04-16

飞兆与英飞凌签署汽车级封装工艺许可协议

英飞凌  飞兆  MOSFET  2012-04-06

凌力尔特长沙研讨会完美落幕

Linear  电源管理  2012-03-09
在线研讨会
焦点