安森美半导体(ON Semiconductor)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。
NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为门驱动器提供电荷，它在休眠模式下的静态电流为3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它还具有可同步开关频率特性，提供两种分别可设定为典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本。峰值电流模式控制及内部斜坡补偿确保这器件在宽汽车电池电压范围内稳定工作，并在电流限制值被超过的情况下，通过在开关周期的剩余部分关闭电源开关，确保这器件在电流故障条件下受到保护。这器件还藉热关闭机制(温度阈值为170 ⁰C)及3.1 V欠压锁定来提供更多保护。
NCV8871可灵活编程，能根据要求提供其它不同频率以供选择。更多其它选择包括不同的斜坡补偿值、限流设定点，以及配接多种MOSFET的不同门驱动电压。这器件还支持多种拓扑结构配置，包括升压、反激、单端初级电感转换器(SEPIC)及多相。升压拓扑结构下的输出功率范围为数瓦(W)到最高200 W。
安森美半导体汽车产品分部总监Jim Alvernaz说：“NCV8871工作电压最低达3.2 V，而市场上其它控制器方案的最低工作电压通常仅达4 V，使这器件脱颖而出，极适合发动机启动/停止应用，而且它的高集成度也带来其它优势。以前，工程师的唯一选择是采用引脚数量更多、须使用大量外部元器件的更复杂器件。NCV8871简化设计流程，缩减物料单(BOM)，并缩短设计时间。”
NCV8871的工作结点温度范围为−40 ⁰C至150 ⁰C。这器件采用无铅、符合RoHS指令的SOIC-9封装。