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台厂投入IGZO金属氧化物制程研发

作者:  时间:2012-11-21 18:05  来源:半导体制造

  日本夏普领先的金属氧化物(Oxied)面板制程,让业界钦羡,台厂技术虽然落后很多,但急起直追;分析师认为,短期内恐只能小量生产。

  夏普采用氧化铟镓锌(IGZO)金属氧化物面板制程,因质量佳,连“鸿夏恋”生变新闻热炒之际,外界都把这项技术放大检视,甚至有媒体报导,夏普认为这项目前“独一无二”的领先技术,不能因鸿海投资夏普就轻易释出技术。

  友达光电、奇美均已投入IGZO金属氧化物制程研发,友达10月底新技术展示记者会已透露,IGZO中小尺寸面板明年可望小量量产。

  友达评估,大尺寸面板采金属氧化物制程,现阶段仍有瓶颈无法克服,所以先以其他技术补强,力推高分辨率面板,但以中小尺寸面板而言,采金属氧化物制程,技术较有机会突破,成本也远低于低温多晶硅(LTPS)制程。

  不过,工业技术研究院产业分析师刘美君表示,夏普的金属氧化物面板制程领先同业1至2年,但事实上良率也不过5成左右,须再提升良率才能发挥成本效益,因此极短时间内仍不易取代低温多晶硅制程,成为中小尺寸面板主流。

  由于知名品牌热门产品采用各家厂商的面板当中,也包括夏普金属氧化物制程生产的面板,在同一产品中,效果优于其他技术生产的面板。

  国际数据信息公司(IDC)资深研究经理徐美雯认为,金属氧化物制程生产的面板即便良率有待提升,影响量产规模,甚至搭配其他高阶技术上也较有难度,但已交货的面板,相对其他面板质量还是较优。

  徐美雯指出,采金属氧化物制程生产面板,良率须再提升,成本才能低于低温多晶硅制程。

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