| 新思科技与中芯国际携手推出增强型90纳米参考流程 |
| 作者： 时间：2008-05-06 来源: |
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为全球半导体设计和制造提供软件和知识产权的主导企业新思科技（Nasdaq：SNPS）和世界领先的集成电路芯片代工公司之一中芯国际集成电路制造有限公司(“SMIC”，纽约证券交易所:SMI，香港联合交易所: 0981)今日宣布，共同推出一个支持层次化设计及多电压设计的增强型90纳米RTL-to-GDSII参考设计流程。该流程受益于当前最先进的逻辑综合、可测性设计（DFT）和可制造性设计（DFM）技术，其主要特性包括：Design CompilerTM Ultra产品的拓扑综合（topographical synthesis）技术、DFT MAX产品的扫描压缩技术以及IC Compiler 布局与布线（place-and-route）产品的可制造性设计（DFM）特性。这些技术的完美融合有助于降低片上系统（SoCs）的实施和测试成本。
中芯国际设计服务资深院士Paul Ouyang表示：“为了增强我们的90纳米参考流程，我们与新思科技进行了紧密合作。最新的设计迭代过程建立在上述流程的低功耗、DFT和DFM特性的基础之上。新的流程可以减少综合迭代次数并降低测试成本，让我们的客户能够大幅度降低成本和设计风险。”
增强型参考设计流程3.2版以中芯国际的90纳米工艺和新思科技的Pilot设计环境为基础，目前已使用专为中芯国际90纳米工艺开发的ARM®低功耗设计套件在新思科技的Galaxy™设计平台上进行了验证。该参考流程采用了Design Compiler Ultra 的拓扑综合（topographical synthesis）技术，该技术在综合阶段就可以精确预测布局后的时序、功耗和面积，从而减少逻辑综合和布局之间的迭代设计时间。用于低功耗设计的高级功能包括电平转换器（Level shifter）和隔离单元（Isolation Cell）的插入和布局优化、多电压区域的创建、多电源网络的自动综合以及理解多电压区域的时钟树综合。为减少静态漏电，该设计流程采用了电源闸控（Power Gating）技术，可关闭处于工作状态的芯片区域的电源。DFT MAX则用以生成扫描压缩电路，通过减少生产测试所需的数据量和时间来充分降低测试成本。该工具还减少了跨电压域的扫描链连接的数量，从而缩减了电位转换器（Level Shifter）或隔离单元（Isolation Cell）的数量来减少DFT对芯片面积的影响。
该参考流程还采用了IC Compiler中的关键区域分析（CAA）技术来确定随机颗粒缺陷对成品率的影响。通过采用CAA，设计人员可以识别出成品率损失较大的电路结构，并在生产前采取纠正措施。该流程中的其它DFM功能包括连线过孔的优化以及插入填充去耦单元（filler cell and filler cap）。
新思科技战略市场发展副总裁Rich Goldman表示：“与中芯国际的长期合作使我们能够通过增强参考流程满足客户对DFT、DFM和功率管理的不断变化的需求。与中芯国际的共同努力使我们能够向我们共同的客户提供满足他们所需的先进工具和技术，从而实现首次即成功的芯片设计。”
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