场效应晶体管

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l 前言绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置...

IGBT MOSFET 场效应晶体管 2007-12-25

东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)，...

东芝场效应晶体管 2007-10-15

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