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英飞凌取得重大技术突破 创新半导体架构大大改善能效
英飞凌研究人员在日本公布了新型晶体管架构的详细信息,该技术将为生产体积更小、功能更强大的电子器件和电路消除障碍。这种多栅极场效晶体管技术是英飞凌能效业绩目标的一...
多栅极场效晶体管
金属栅
2007-06-29
英特尔芯片技术40年来大突破 漏电量将锐减
英特尔的基本晶体管设计取得了一项巨大的进步。英特尔披露称,它正在使用两种全新的材料制作45纳米晶体管的绝缘层和开关栅。 据chinapost.com.tw...
晶体管
high-k
金属栅
2007-06-14
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