安捷伦科技公司半导体产品事业部大中国区总经理赵子泽先生表示：“我们新推出的E-pHEMT 功放模块可以帮助移动电话制造商以极具竞争力的价格更好地吸引用户，因而得到了广大客户的广泛认可。安捷伦提供的功放模块之所以表现卓越，是因为它拥有业内最优秀的功率加效率(PAE)。这使得广大客户能够在保持电池工作时间不变的同时增加更多的功能，或提供电池工作时间长得多的手机。”
已有六款支持CDMA和GSM空中接口的移动终端平台设计中采用了安捷伦E-pHEMT功放模块，其中包括一家位居三甲的GSM手机厂商生产的一款手机。
为满足广大客户对高效功放模块和其它E-pHEMT产品的需求，安捷伦正在科罗拉多州Ft. Collins建立最新的六英寸晶片生产厂。该生产厂具有大批量生产能力，并利用尖端的CMOS统计工艺控制技术，优化高级模拟/混合信号器件的性能。
安捷伦新推出的三款E-pHEMT功放模块中，有两款适用于CDMA/AMPS手机，一款适用于GSM手机。这些功放模块提供了业内最佳的功率加效率(PAE)，使制造商能够把手机电池的工作时间延长15%。在当前的多功能手机中，电池工作时间是一个关键的性能指标。
在两款CDMA模块中，ACPM-7813适用于800 MHz双频手机，ACPM-7833则适合于1900 MHz (PCS)频段中的手机和无线数据终端应用。CDMA模块提供了业内最佳的40%的额定PAE，其采用的E-pHEMT技术仅要求一个正极电源。ACPM-7891功放模块是面向三频GSM/GPRS手机开发的。它在GSM频段中，可实现高达60%的PAE；而在DCS和PCS频段中，则可以实现56%的PAE。
安捷伦科技为对成本敏感的无线通信设施应用推出高线性度、增强模式PHEMT FET
单工作电压操作、信噪比为0.5 dB、增益为16.5 dB、OIP3为30.5 dBm，保证了杰出的前端LNA性能
安捷伦科技日前还宣布推出一款高线性度E-pHEMT (增强模式伪单色高电子迁移晶体管)场效应管 (FET)。它适用于对成本敏感的、工作频率在450 MHz和6 GHz之间的无线通信设施，以实现低噪声和高动态范围的操作。
在3V、30 mA和2 GHz时，安捷伦单电压的E-pHEMT FET（ATF-58143）的噪声系数为0.5 dB，伴随增益为 +16.5 dB，OIP3 (三阶输出互扰点)为 +30.5 dBm，线性输出功率(1 dB增益压缩)则为 +16.5 dBm。它特别适用于工作频率范围在450 MHz和6 GHz之间的蜂窝/PCS/WCDMA基站、无线本地环路、固定无线接入和其它高性能应用中的第一阶和第二阶前端LNA。ATF-58143在3V电压下，OIP3可实现30.5 dBm的高线性度，而其功耗仅为30 mA。这就大大降低了在当前紧凑型设备的设计中热量的产生。单电压操作还消除了电压逆电电路或双电压补给。
目前，安捷伦仍是业内唯一提供单电压操作的E-pHEMT产品的厂商。单电压操作的方式，大大简化了供电补给的设计。单一的3V供电电压使得安捷伦这款新型E-pHEMT FET成为取代单电压HBT (异质结双极晶体管) 和传统的双电压PHEMT及GaAs HFET (异质结构FET) 的首选产品。
ATF-58143 E-pHEMT FET采用微型2.0 x 2.1 mm SOT-343封装。