意法半导体推出世界上最小的采用180纳米互补MOS技术的嵌入式闪存

世界知名的半导体制造商意法半导体（纽约股票交易所：STM）今日宣布即将开始供应世界上首次批量生产的采用先进的180nm互补MOS技术的嵌入式闪存。ST的180nm嵌入闪存技术创造了世界上最小的单元尺寸，每个闪存单元仅占硅片面积0.37um2。极小的单元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存储阵列所需的硅面积，从而降低了芯片的制造成本。

这项新技术特别适合汽车应用。在汽车应用中，嵌入式闪存广泛用于主要功能的片上系统解决方案(SoC)，如发动机管理单元和导航及信息系统。这项技术支持主流核心控制器如汽车应用中被广泛采用的ARM7、ARM9 和 ST10，以及多处理器体系结构。内置这些核心的演示芯片正在接受用户在全温度范围的验证。

ST公司副总裁兼非易失性存储器工艺开发主任Paolo Cappelletti说：“世界上第一个大批量生产的180nm嵌入式闪存技术和业内最小的单元尺寸的双重成就，使ST稳稳地处于嵌入闪存技术的最前沿，而且对于我们的片上系统产品组合具有重要的意义。”

这个180nm嵌入式闪存技术完全兼容基本的180nm逻辑工艺（单元库和核心），宏单元十分灵活，可以快速定义高达10兆位的用户指定的存储阵列，扇区可以划分到最小8千字节。此外，宏单元还具有内部自测试（BIST）特性。

意法半导体是第一个推出嵌入闪存的微控制器的半导体制造商，是今天含有嵌入式闪存的片上系统器件的世界知名制造商之一。这些器件广泛用于汽车、通信、消费和计算机外设等应用。