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Globalfoundries称2015推10nm晶圆
晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台,喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头,继14纳米XM明年量产,...
Globalfoundries
10nm
2013-09-02
半导体材料掀革命 10nm制程改用锗/III-V元素
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂...
半导体材料
10nm
2013-03-18
Intel以色列:跨越发展冲向10nm
我们说过很多次,先进的制造工艺始终都是Intel面对任何竞争最强有力的武器,Intel也在矢志不渝地维护和扩大这种领先优势,比如在以色列南 部城市水牛城(K...
Intel
10nm
2013-02-20
SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开...
意法
10nm
FDSOI
2012-12-24
下一代FD-SOI制程将跳过20nm直冲14nm
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上,产业组织SOI Conso...
ST
FD-SOI
10nm
2012-12-17
SanDisk联手东芝进军10nm级别闪存工艺
2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别,2011年则将成为20nm级别普及的开端,同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。 SanD...
SanDisk
10nm
闪存
2011-01-31
硅CMOS技术可扩展到10nm以下
“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材...
CMOS
10nm
2010-12-15
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