意法半导体推出强电流、低压降的绝缘栅双极晶体管
作者：电子设计应用 时间：2004-01-17 00:00 来源：本站原创
意法半导体（纽约证券交易所：STM）日前在该公司先进的绝缘栅双极晶体管家族中推出了一个 在强电流时能够保持正向压降很低的200A的器件，这类器件属于ST的绝缘栅双极晶体管家族，能够确保低导通电压损耗而无需使用任何降低少数载流子寿命的重金属掺杂或电子辐射。这些器件用于铝焊接和感应加热设备，以及不间断电源和开关式电源中。
STGE200NB60S属于ST的PowerMESH 绝缘栅双极晶体管家族，采用一种条状专利布局。“ 网格覆盖”技术是一种基于条状物的新型高压工艺，在绝缘栅双极晶体管的N外延层扩散P型网格结构，然后，在P型网格层上直接扩散代替单元并代表器件发射极的N+条状物。 S 后缀表示N沟道已经在工作频率最高10kHz时针对低导通压降做过优化处理。
在工作温度100°C，电压600V，电流100A时，VCE(sat)不到1V。在工作温度25°C，电流200A时，VCE(sat)在1.3V以下。
这个器件的设计效率表明导通功耗降低了。这个器件采用了有利于安全的绝缘ISOTOP封装。
有关ST的STGE200NB60S器件的详细资讯，请访问：http://www.st.com/igbt