VI晶片电压变换器在输出电压为0.9 至1.8 V时输出电流高达80A

美国怀格公司（Vicor）推出V·I 晶片电压转变器模块（VTM），型号为V048K015T80。这种VTM 在速度、密度和效率方面打破了记录，达到先进的DSP、FPGA、ASIC、处理器芯核和微处理器这些负载对电源的要求，同时输入和输出是互相隔离的。VTM模块把48 V输入直流电压转换为1.5 V，瞬变反应及复原时间不到1微秒，它的体积不超过0.25立方英寸，而输出电流高达80 A，效率很高，史无前例。VTM模块可以并联起来使用，输出几百安培的电流，在空载时的输出电压可固定在直流1.0V至1.8 V间任何电压值，在满负载时的输出电压可固定在直流0.9 至1.7 V间任何一点。
V·I 晶片 VTM 是怀格公司最近推出的分比式功率结构（Factorized Power Architecture）的关键组件。它与中转母线结构（Intermediate Bus Architecture）不同。在中转母线结构中，是为装在负载旁边的非隔离式转换器或者VRM供电，母线电压低，效率不高。在分比式功率结构中，产生一个电压称作Vf， 这是一个受到控制的电压，以减少分布损耗，同时又可以把大量的能量存储起来，由隔离式电压转换模块向负载提供电流或者吸收来自负载的电流。VTM的带宽为 1 MHz，可双向传输功率，能够高效率地把功率输送给负载或者吸收来自负载的能量，并且在负载变化时限止电压的波动。V048K015T80型号VTM的开环输出电阻Rout大约是1.3毫欧姆，可以用来为微处理器这类负载进行自动电压调节（Automatic Voltage Positioning）。VTM模块采用表面贴片封装，外形尺寸只有1平方英寸，取代了VRM方案，免除附属组件和连接器, 这些东西存在不利的串联电抗，而且会发热。对于VRM，需要在负载端上并联电解电容器或者钽电容器，但是在使用VTM模块时，不需这些寿命有限的电解电容器或者钽电容器：VTM在输入端有一个电容器，在频率高达1 MHz时它在输出端的等效电容是输入电容的1,000多倍，节省了材料和电路板的空间，并且降低了系统的成本。
V048K015T80型号的VTM 把额定值为48 V的直流输入电压转换为1.5 V的直流输出电压，在输出电流高达80 A时，输出电压可在直流0.9至1.8 V间受控，相应的Vf可控范围为直流32V至57.6V。VTM可以工作在开环，也可以工作在闭环，取决于具体的应用是否需要进行电压调节。在开环时，VTM 的输出是输入电压Vf乘上变换系数K，K=1/32，输出电阻为Rout = 1.3毫欧，可以用于要求电流很大、效率很高、输出电压很低，而且输出电压可以编程的场合。闭环回输到PRM或DC-DC转换器能够补偿Rout效应。
输出为直流1.5V的 VTM使用V·I ® 晶片封装，可以使用标准的拾放设备和表面贴装装配工艺来装配，它的电流密度达到320 A/in 3，这是一个突破。使用V·I ® Chip　BGA封装时 (板内安装)，整块电路板的高度不超过4 mm（0.16英寸）。使用J型引脚的V·I® Chip式封装时(板上安装)，整块电路板的高度不超过6 mm（0.25英寸）。V·I®晶片 封装的外形尺寸为1.26 英寸 x 0.85 英寸 x 0.24 英寸。
V·I® Chip BGA封装的半导体结至外壳的热阻以及半导体结至BGA的热阻很低，因此在热管理方面很灵活。采用J型引脚的V·I® Chip封装的热性能与半导体结至板的热阻相当。VTM的效率高、热阻低、安全的工作温度范围很宽，因而在一般情况下不需要使用散热器。如果需要在恶劣环境满载操作，可选择已备0.25英寸页针散热器的型号。
采用V·I®晶片BGA封装的V048K015T80 型号，包装方式有JEDEC或者带装和盘装，以便于自动化贴片机和SMD装配技术使用。