这种新封装的特性总结如下。
(1)与瑞萨科技先前的封装相比，安装散热热阻值减小了40%，电流容量大约提高了30%。
LFPAK-I使用一种管芯散热管座暴露在封装上表面的结构，与瑞萨科技目前的通过印刷线路板散热的LFPAK封装形式相比，LFPAK-I的热沉安装在顶部（使用强制空气冷却时），热饱和状态下的安装热阻值大约减小了40%，从25ºC/W降低到15ºC/W。因此，与LFPAK相比，电流大约提高了30%，可以使服务器稳压器更加小巧。
(2)与SOP-8兼容
LFPAK-I的电极排列和管脚面积与业界标准的SOP-8封装相同，使得相同的系统设计和安装可以用在SOP-8中。
<产品背景>
为服务器的CPU和存储器提供电源的稳压器，将12 V输入电压变换到CPU和存储器需要的较低电压，典型值是1.3 V。由于更快的CPU需要更大的电流，以及小型化需要更低的电压，预计相关的电压和电流将从目前的大约1.3 V和70 A改变为将来的 0.8 V和150 A。为了处理这样的低压和大电流，要求安装在稳压器中的功率MOSFET具有大电流容量，以进行电流控制。
典型的表面安装功率器件结构，通过印刷线路板散热。但是，在像服务器这样具有很多稳压器的应用中，大电流引起的板温度上升很成问题，由于在板上散热的方法已经达到了极限，制造商开始在产品的顶部安装热沉，通过强制空气冷却的方法实现散热。
为满足这一市场需要并解决相关的问题，瑞萨科技开发出新型LFPAK-I封装，通过使用一种管芯散管座暴露在封装上表面的结构，使上表面散热效果最佳。
<新封装的详情>
新开发的LFPAK-I的结构，保留了瑞萨科技目前的LFPAK封装的优势，通过使用更少键合引线的结构，为高效率电源提供低电阻和低电感*1；同时在顶部安装了一个管芯散热管座，使热量可以从顶部安装的热沉高效耗散。LFPAK-I可以使用与业界标准的SOP-8封装相同的电极排列和管脚面积。
将顶部热沉安装的封装（使用强制空气冷却时）与常规的LFPAK相比，热饱和状态下的安装散热热阻值减小了40%，从25ºC/W降低到15ºC/W。这有助于减小PWB温度的上升，先前这很成问题。
在同样的功率下，这也有助于减小功率MOSFET沟道温度的上升(ΔTch)，从而降低了与沟道温度成正比的导通电阻*2。例如，在LFPAK-I顶部安装热沉后，施加相当于2 W功耗的等量功率，功率MOSFET沟道温度的上升(ΔTch)可以减小20ºC，从LFPAK的50ºC降低到30ºC。这相当于导通电阻大约减小了7%（将沟道温度降低20ºC，使功率MOSFET的温度从120ºC降低到100ºC，在此基础上进行计算）。
而且，如果假设在相同的条件下，沟道温度上升相同的值时进行热辐射设计，LFPAK-I的电流大约提高30%。电流密度提高30%，就可以减少稳压器中安装的功率MOSFET的数目，可以使稳压器更加小巧。
<新产品详情>
这次发布的HAT2165N、HAT2166N和HAT2168N是耐压30 V的N沟道功率MOSFET，用于高效率服务器稳压器，可以提供很低的热阻和导通电阻。
通过在这些器件的顶部安装热沉，与瑞萨科技目前使用LFPAK封装的HAT2165H、HAT2166H和 HAT2168H相比，热饱和状态下（使用强制空冷时）的散热热阻值减小了40%，从25ºC/W 降低到15ºC/W，电流大约提高了30%。
例如，当配置一个电压指标是1.3 V和电流指标是60 A的稳压器时，对每级是15 A的4级配置来说，一共需要16个常规的功率MOSFET（8组，每组包括一个高边组件和一个低边组件*3）；如果使用新产品，每级的电流大约可以提高30%，提高到20 A，可以一共使用12个功率MOSFET，进行3级配置（6组，每组包括一个高边组件和一个低边组件），因此可以使稳压器更加小巧。
使用瑞萨科技成熟的0.35 μm工艺第8代沟道结构制作组件，可以实现很低的导通电阻值（VGS = 10 V时），HAT2165N的典型值是2.8 mW，HAT2166N的典型值是3.2 mW，HAT2168N的典型值将达到6.3 mW
HAT2168N非常适合用作稳压器的高边组件（用于开关控制），HAT2165N和HAT2166N用作低边组件（用于同步整流）。低导通电阻型HAT2165N和HAT2166N也适用于同步整流，可以处理大功率开关电源的二次侧电流（低压输出Vout = 3.3 V或更低）。
注释：
1.电感：电感一般存在于引线中，它的大小与引线的长度大致成比例。电感值越大，开启或关断功率MOSFET所需的栅流越大，对高速开关工作有阻碍作用。尤其在高频开关领域，电感是开关损耗的主要成因。
2.导通电阻：功率MOSFET工作时的工作电阻。导通电阻是对功率MOSFET性能影响最大的参数，随着导通电阻的下降，性能提高。
3.高边和低边组件：这些组件用在非绝缘型DC-DC变换器开关中，通过交替开启/关断开关，同时保持高边和低边之间的同步，进行电压变换。高边开关是DC-DC变换器控制开关，低边开关是同步整流开关。通常服务器稳压器的输入电压Vin是12 V，而CPU使用的电压很低，为1.2 V －1.3 V或更低。因此在高边接通时间内，对一个周期内的大约10%的窄脉冲进行控制，剩下的90%是低边组件的接通时间。因此，选择高开关速度的组件用作高边组件，选择低导通电阻(低RDS(on))的组件用作低边组件。
<典型应用>
·服务器DC-DC变换器（稳压器）
·开关式电源二次侧（低压输出Vout = 3.3 V或更低）同步整流。
<日本国内价格>*供参考
产品名称 封装 样品价格[含税] (日元)
HAT2165N LFPAK-i 160 [ 168 ]
HAT2166N LFPAK-i 140 [ 147 ]
HAT2168N LFPAK-i 100 [ 105 ]