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瑞萨科技发布具有两个功率MOSFET的HAT2210WP

作者:电子设计应用  时间:2004-11-08 09:51  来源:本站原创

瑞萨科技公司宣布推出具有两个功率MOSFETHAT2210WP,封装形式是WPAK (瑞萨科技的封装代码)*1高热辐射封装,尺寸仅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大),用于笔记本电脑、通信设备及类似产品的DC-DC变换器中。在20041029日,将从日本开始样品发货。

HAT2210WP的主要特性如下。

(1) 低热阻

由于使用了WPAK高热辐射封装,与目前SOP-8封装的HAT2210R相比,热阻减小了一半。可以控制的输出电流也提高了大约50%,因此可以减少具有高电流处理能力的DC-DC变换器所需要的功率MOSFET的数目。

(2) SOP-8封装的安装面积相同,但厚度仅有它的一半(0.8 mm (最大)

HAT2210WP需要的安装面积与业界标准的SOP-8封装一样,是5.3 × 6.1 mm;但厚度大约仅是它的一半,为0.8 mm (最大),使得DC-DC变换器可以做得更小巧。

安装在信息设备如笔记本电脑和服务器中的存储器、ASIC和其它芯片需要不同的驱动电压,因此,需要使用一些DC-DC变换器。这些DC-DC变换器需要两个功率MOSFET,分别用于高边和低边*2应用。瑞萨科技目前大量生产的产品,具有两个功率MOSFET,封装形式是SOP-8封装,可以满足较小DC-DC变换器的需要。但是,各种芯片处理的数据量越来越大,需要可以处理更大电流、安装更多功率MOSFETDC-DC变换器。

在这样的背景下,瑞萨科技开发出了新型HAT2210WP,它使用WPAK高热辐射封装,可以提高可以控制的电流量,实现更高的DC-DC变换器电流容量,并减少安装的功率MOSFET的数目。

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