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意法半导体(ST)的混合发射极晶体管

作者:电子设计应用  时间:2005-01-05 15:06  来源:本站原创

意法半导体(纽约证券交易所:STM)推出了一个混合发射极开关双极晶体管(ESBT),这个被称作STE50DE100的新器件可用于焊接设备、感应加热系统和音频放大器的功率因数校正应用。
STE50D100的集电极-源极能经受1000V的高压,集电极电流高达50A,这个四端子器件采用工业专用螺钉组装的TSOTOP封装。
在设计上,新器件集中了双极晶体管和MOSFET管的优点,并且摒弃了它们的缺点。
目前,功率双极晶体管技术广泛用于频率低于70KHz的电源开关应用,因为集电极-发射极饱和电压低,功率双极晶体管具有较低的导通损耗;但它的缺点是开关速度低、驱动电流大以及与驱动电路调优相关问题。
相反,MOSFET技术广泛应用于高频电源开关应用中,MOSFET的主要优点是开关速度快、驱动电流极低。它的缺点是成本高于双极晶体管技术,导通功耗高。
STE50DE100通过整合优点,消除缺点,把导通损耗降低到与双极晶体管相同的水平,同时在150KHz以下时高速开关性能达到了MOSFET的水平。
此外,因为采用共射-共基放大器配置和专用的双极技术,该器件能够提供一个方形反向偏压安全工作区,所以它能够在需求苛刻的开关拓扑内工作。
ISOTOP封装十分耐用,在25˚C时可以承受高达400W的总功耗。最高工作结温150˚C,绝缘电压2500V AC-RMS。订购1000件的单价为20.0美元。

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