飞兆半导体推出3G射频功率放大器

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出PowerEdge™双频带(WCDMA/ UMTS) RF功率放大器模块 (PAM)，可将效率 (PAE) 提高至42％，大大超越同类型产品。飞兆半导体的RMPA2265是第一个3x3 mm LCC 封装,可于1850-1910 MHz 和1920-1980 MHz两个频带工作的3G 射频放大器模块，其面积较4x4 mm封装缩小约44％。RMPA2265可满足当今3G移动电话、PDA和无线PC数据卡等产品设计对射频功放 高效率、灵活的频率特性和更小尺寸的要求。RMPA2265还合乎新兴的高速下行链路分组接入 (HSDPA) 标准。

飞兆半导体RF功率产品部总经理Russ Wagner称：“飞兆半导体的PowerEdge双频带功率放大器模块可让OEM厂商设计更新的产品，为客户提供更多的频带选择，并可大大扩展覆盖范围。鉴于手机的功能不断聚合，而且需要更高的电源效率，RMPA2265可在业界最小的封装内提供多项优异特性，包括减少线路板空间需求、延长通话时间及增加双频带灵活性。”

RMPA2265的卓越线性和高功率增加效率是通过飞兆半导体专有的InGaP异质结双极晶体管 (HBT) 技术来实现。该器件带有可选的高/低功率模式，用于进一步优化电流消耗。这种两阶功率放大器可在内部将输入和输出阻抗匹配至50欧姆，从而减少外部器件数目，简化设计要求。

RMPA2265是无铅器件，能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

价格 (订购10,000个): 每个0.98美元
供货:现货
交货期:收到订单后6至8周内