飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出8款新型高压SuperFET™ MOSFET器件，专为高效的高压、快速电能转换应用而设计，例如有源功率因数校正(PFC)、照明电子和AC/DC电源系统等。
SuperFET技术通过降低RDS(ON) 和栅极电荷 (Qg) 来减小导通损耗及开关损耗。这项技术可降低电压和电流的瞬态转换速度(di/dt、dv/dt)，确保器件能在更高频率下可靠地运行。新的SuperFET 系列也具有很高的额定重复性雪崩特性，比同类方案高出一个数量级。栅-源电压最高额定值为 ±30 V (比竞争器件高50%)，使得SuperFET器件具备更佳的耐用性，在高压应用时更加可靠。
飞兆半导体功率分立器件部电源和工业功率应用市务经理JongMin Na表示：“随着标准MOSFET耐压的提升，RDS(ON) 大幅度上升，并导致裸片尺寸增加，为设计者带来了困难。飞兆半导体全新的SuperFET技术将耐压与RDS(ON) 的关系从指数关系转为线性关系，让600V器件获得极好的RDS(ON) 值和较小的裸片尺寸，从而提高终端应用的效率。”
SuperFET技术提供的高可靠性对瞬态的应用是一个特别重要的优势，比如高强度放电 (HID) 照明镇流器和等离子显示 (PDP) 电视的供电电源等。SuperFET所提供的低导通损耗对于照明设备制造商尤其重要，因为他们正不断寻求可满足PFC要求的高效设计方案。同样地，一些高端应用如等离子电视的AC/DC电源等亦要求通过高可靠性和高效率来降低其系统成本。举例说，在电源应用中，SuperFET极低的导通阻抗可减少功率损耗，让设计者毋需使用昂贵的冷却系统，并节省设计空间。SuperFET的低门电荷也使得它们易于驱动，以较低的开关损耗来提高效率。
飞兆半导体的功率专家The Power Franchise® 策略通过提供一套完整的相辅相成的产品，包括PFC控制器、PWM控制器和光隔离放大器等,与先进的SuperFET系列相配合实现总体的系统解决方案。例如，SuperFET可配合飞兆半导体的FAN7527B器件，成为面向镇流器应用具备成本优势的PFC控制器，与FAN4822 ZVS PFC 控制器或 FAN4810 PFC控制器配合使用，能够增强400W以上设备的性能。
先进的SuperFET也可与飞兆半导体新的 FAN7380/FAN7382半桥驱动器IC结合使用，显著提高镇流器设计的效率。除了广泛的产品组合外，飞兆半导体还具备覆盖全球的功率设计实验室和在线设计工具，协助设计者实现产品快速推出市场同时降低总成本。这些在线设计工具包括PFC指导教程、电源设计工具套件和FETBench产品选择工具 (www.fairchildsemi.com/acdc)。
产品RDS(on)
(Ohms /Typ)dv/dt
(V/ns)ID (25℃)
(A)门电荷
(Typ Qg (nC)) 封装类型价格 (美元)
(1,000件计)
FCP7N600.534.5723TO-220 $1.54
FCPF7N600.534.5723TO-220F$1.54
FCB11N600.324.51140D2Pak$2.36
FCP20N600.154.51175TO-220$4.62
FCPF20N600.154.52075TO-220F$4.62
FCB20N600.154.52075D2PAK$4.76
FCH20N600.154.52075TO-247$5.36
FCA20N600.154.52075TO-3P$5.02
SuperFET备有多种封装形式，包括TO-220、TO-220F、TO-263 (D2Pak)、TO-247和TO-3P。这些无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
供货:现货
交货期:收到订单后12周内