飞兆半导体推出采用3x3平方毫米  MLP  封装的 UltraFET 系列器件

新型 200V N沟道器件提供最佳的 FOM值 和热阻

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 成功扩展其功率开关器件解决方案，推出采用超紧凑型 (3mm x 3mm) 模塑无脚封装 (MLP) 的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件，最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关，能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。

与市场上类似的200V MLP 3x3封装器件相比，飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷 (3.6nC对比 4nC) 和最低的导通阻抗 (200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数 (FOM) 降低了27%，并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件具有同类封装器件中最佳 (3C/W 比 25C/W) 的热阻 (Theta JC)，在严苛的环境中也能保证可靠的散热。

飞兆半导体通信应用部市场发展经理Mike Speed称：“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型MLP 3x3功率开关产品。我们将PowerTrench® 工艺的优点与先进的封装技术相结合，全面提升UltraFET产品系列的性能。这些产品经过专门定制，能满足现今DC/DC转换器应用中最严苛的设计要求。”

飞兆半导体的UltraFET器件除了能提供比市场上同类型封装MLP器件更出色的热性能和开关性能外，仅占用较DC/DC转换器设计常用的SO-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小MOSFET的占位面积及增强封装热容量，以便设计出更小型，更高功率密度的DC/DC转换器。

飞兆半导体还推出了一款同样采用MLP 3x3封装的150V P沟道平面型UltraFET器件，与这三种N沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要N沟道和P沟道MOSFET的应用而开发。为设计人员提供了完整的解决方案，
这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

型号
电压沟道适用的拓朴
FDMC2674220VN沟道反激
FDMC2610200VN沟道前向
FDM3622100VN沟道半桥/全桥
FDMC2523P150VP沟道有源箝位开关

供货:现提供样品和测试板
交货期:收到订单后8周内

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要了解相关产品的更多信息，请访问网页：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC2674.pdf；
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC2610.pdf；
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDM3622.pdf；
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC2523P.pdf。